用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法
本专利技术涉及用于处理基材表面的设备，特别地、涉及根据权利要求1的前序部分所述的设备。本专利技术还涉及用于操作基材处理设备的方法，特别地、涉及根据权利要求10的前序部分所述的方法。
技术介绍
在ALD应用中，基材的表面通常相继地处于至少两种气态前驱体之下。气态前驱体与基材表面有效地反应，从而导致单原子层的沉积。在单独引入另一前驱体之前，前驱体阶段通常跟随有吹扫阶段或由吹扫阶段分隔开，吹扫阶段将过量的前驱体从基材的表面消除。因此，ALD过程需要依序交替到基材的表面的前驱体的通量。这种在表面反应和吹扫阶段之间交替的重复序列是典型的ALD沉积循环。原子层沉积通常在与周围大气隔绝的沉积室中进行，以防止前驱气体扩散到周围环境中，并防止污染物进入沉积室。根据原子层沉积的原理，原子层沉积可以通过将至少第一前驱体和第二前驱体相继地供应到沉积室中而在沉积室中进行。由于表面的处理被相继地完成，前驱体的分隔是暂时的。替代地，喷嘴头可以用于使至少第一前驱体和第二前驱体在基材的表面上进行相继的表面反应。当使用喷嘴头时，前驱体没有填充整个沉积室，但是...
【技术保护点】
一种用于处理基材(1、101)的表面的设备，所述设备包括：‑沉积室(4)，在所述沉积室内，通过使至少第一前驱体和第二前驱体根据原子层沉积原理在所述基材(1、101)的所述表面上进行相继的表面反应来处理所述基材的所述表面，所述沉积室(4)具有沉积室壁(2)；‑一个或多个侧室(12、42、52、112)，所述一个或多个侧室连接到所述沉积室(4)；以及‑一个或多个导通连接部(13、15、16)，所述一个或多个导通连接部设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间并且设置为形成从所述一个或多个侧室(12、36、42、52、62、112)到所述沉积室(4...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.02 FI 201556301.一种用于处理基材(1、101)的表面的设备，所述设备包括：-沉积室(4)，在所述沉积室内，通过使至少第一前驱体和第二前驱体根据原子层沉积原理在所述基材(1、101)的所述表面上进行相继的表面反应来处理所述基材的所述表面，所述沉积室(4)具有沉积室壁(2)；-一个或多个侧室(12、42、52、112)，所述一个或多个侧室连接到所述沉积室(4)；以及-一个或多个导通连接部(13、15、16)，所述一个或多个导通连接部设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间并且设置为形成从所述一个或多个侧室(12、36、42、52、62、112)到所述沉积室(4)的内部的一个或多个导通部，以便在所述一个或多个侧室(12、42、52、112)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；其特征在于，所述一个或多个导通连接部(13、15、16)包括：一个或多个导通室(18)，所述一个或多个导通室(18)设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间；以及辅助压力装置(20)，所述辅助压力装置(20)可操作地连接到所述一个或多个导通室(18)以便控制所述导通室(18)中的压力，所述设备还包括主压力装置(6)，所述主压力装置(6)可操作地连接到所述沉积室(4)以便控制所述沉积室(4)内的压力，所述主压力装置设置为提供所述沉积室(4)内的第一压力，并且所述辅助压力装置(20)设置为提供所述一个或多个导通室(18)内的第二压力，所述第二压力低于所述第一压力。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述一个或多个导通连接部(13、15、16)包括设置于所述侧室(12、42、52、112)与所述导通室(18)之间的一个或多个第二导通端口(17)以及设置于所述导通室(18)与所述沉积室(4)之间的一个或多个第一导通端口(19)，以便形成所述侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间的导通部。3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述主压力装置(6)和所述辅助压力装置(20)能够独立地进行控制。4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其特征在于，所述侧室(12、42、52、112)设置有用于控制所述侧室(12、42、52、112)内的压力的侧室压力装置(14、46、54、114)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其特征在于，-所述侧室(12、42、52、112)为用于将所述基材(1、101)装载到所述沉积室(4)的装载室(112)，并且所述导通连接部(13、15、16)为基材导通连接部，经由所述基材导通连接部在所述装载室(112)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；或者-所述侧室(12、42、52、112)为处理室(12、42、52)，所述基材(11、101)在所述处理室内进行处理，并且所述导通连接部(13、15、16)为基材导通连接部，经由所述基材导通连接部在所述处理室(12、42、52)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；或者-所述设备为生产线，所述沉积室(4)形成所述生产线中的沉积单元，并且所述侧室(12、42、52、112)为所述生产线中的设置于所述沉积室(4)之前或之后的处理单元或处理室(42、52)。6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述设备包括：-所述侧室(12)或所述装载室(112)和输送机构(22、24、26、28、3)，所述输送机构设置为经由所述基材导通连接部(13、15、16)将所述基材(1、101)从所述侧室(12)或所述装载室(112)输送到所述沉积室(4)以及将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)输送到所述侧室(12)或所述装载室(112)；或者-第一侧室(42)或装载室、第二侧室(52)或卸载室以及输送机构(22、24、26、28、3)，所述输送机构设置为经由第一基材导通连接部(13)将所述基材(1、101)从所述第一侧室(42)或所述装载室输送到所述沉积室(4)以及经由第二基材导通连接部(15)将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)输送到所述第二侧室(52)或所述卸载室。7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于：-所述侧室(12、42、52)包括用于在将所述基材(1、101)输送到所述沉积室(4)之前对所述基材(1、101)进行预处理的一个或多个预处理装置(11、48)；或者-所述侧室(12、42、52)包括用于在将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)中输送出来之后对所述基材(1、101)进行后处理的一个或多个后处理装置(13、56)；或者-所述侧室(12、42、52)包括用于在将所述基材(1、101)输送到所述沉积室(4)之前对所述基材(1、101)进行预处理的一个或多个预处理装置(11、48)以及用于在将所述基材(1、101)从所述沉积室(4)中输送出来之后对所述基材(1、101)进行后处理的一个或多个后处理装置(13、56)。8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其特征在于，所述主压力装置(6)和所述辅助压力装置(20)设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·凯托，P·索恩宁，M·索德隆德，
申请(专利权)人：BENEQ有限公司，
类型：发明
国别省市：芬兰,FI
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