原子层沉积设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于处理基材的原子层沉积设备(2)。该设备包括原子层沉积反应器(8)和连接到原子层沉积反应器(8)的一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73)。设备(2)还包括设备外壳体(10,20,30,40)、设备通风排放连接件(4,6)以及一个或多个设备通风入口连接件(52)，原子层沉积反应器(8)和一个或多个前驱体源(70,71,72,73)设置在设备外壳体(10,20,30,40)内部，该设备通风排放连接件布置成从设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体，该一个或多个设备通风入口连接件设置到设备外壳体(10,20,30,40)并布置成将通风气体提供到设备外壳体(10,20,30,40)中。外壳体(10,20,30,40)中。外壳体(10,20,30,40)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原子层沉积设备


[0001]本专利技术涉及一种原子层沉积设备，更具体地涉及一种根据权利要求1的前序部分的原子层沉积设备。

技术介绍

[0002]原子层沉积设备通常包括原子层沉积(ALD)反应器和用于向ALD反应器供应前驱体的前驱体源。ALD反应器的工作温度可高达600℃甚至更高。此外，ALD设备包括具有高工作温度(例如高达500℃)的热源、固体源或低蒸气压源。前驱体源通常被提供至前驱体柜。这些高温增加了设备及其部件的温度，从而导致用户的安全问题以及设备本身的热应力问题。因此，ALD设备以及ALD反应器和前驱体柜被冷却。此外，许多使用的前驱体是危险的甚至有毒的化学品。因此，ALD设备通常设有用于将前驱体从设备中排出的排出系统。
[0003]在现有技术的设备中，通风气流或通风排气是根据将ALD设备的不同部件(例如ALD反应器和前驱体柜)中的危险前驱体排出的需要而设计的，从而可以实现ALD设备的安全使用。
[0004]与现有技术的设备相关的问题之一是，当将热能与通风气体一起运输时，设备的不同部件中的通风气流导致了设备内部不受控制的热负本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于根据原子层沉积原理处理基材的原子层沉积设备(2)，所述设备包括：
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原子层沉积反应器(8)；
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一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73)，所述一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73)连接到所述原子层沉积反应器(8)；
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设备外壳体(10,20,30,40)，所述原子层沉积反应器(8)和所述一个或多个前驱体源(70,71,72,73)布置在所述设备外壳体(10,20,30,40)内部；
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设备通风排放连接件(4,6)，所述设备通风排放连接件(4,6)布置成从所述设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体；以及
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一个或多个设备通风入口连接件(52)，所述一个或多个设备通风入口连接件(52)设置到所述设备外壳体(10,20,30,40)并布置成将通风气体提供到所述设备外壳体(10,20,30,40)中，其特征在于：
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所述设备外壳体(10,20,30,40)包括反应器隔室(10)，所述反应器隔室(10)包括设置在所述反应器隔室(10)内部的所述原子层沉积反应器(8)；
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所述设备外壳体(10,20,30,40)包括第一前驱体供应隔室(30)，所述第一前驱体供应隔室(30)包括设置在所述第一前驱体供应隔室(30)内部的一个或多个前驱体源(70,71,72,73)；
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一个或多个第一通风流连接件(54)设置到所述第一前驱体供应隔室并布置成将通风气体提供到所述第一前驱体供应隔室(30)中；
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一个或多个第二通风流连接件(56)布置在所述第一前驱体供应隔室(30)和所述反应器隔室(10)之间并布置成从所述第一前驱体供应隔室(30)排放通风气体并且将通风气体从所述第一前驱体供应隔室(30)提供到所述反应器隔室(10)；以及
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所述设备通风排放连接件(4,6)设置到所述反应器隔室(10)并布置成从所述反应器隔室(10)和所述设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体。2.根据权利要求1所述的设备(2)，其特征在于：
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在所述第一前驱体供应隔室(30)中，所述一个或多个第二通风流连接件(56)在竖向方向上布置在所述一个或多个第一通风流连接件(54)上方；或者
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所述第一前驱体供应隔室(30)设有第一前驱体供应隔室底壁(33)、第一前驱体供应隔室顶壁(32)和在所述第一前驱体供应隔室底壁(33)和所述第一前驱体供应隔室顶壁(32)之间延伸的一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37)，并且所述一个或多个第一通风流连接件(54)布置到所述第一前驱体供应隔室底壁(33)，所述一个或多个第二通风流连接件(56)布置到所述第一前驱体供应隔室顶壁(32)；或者
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第一前驱体供应隔室(30)设有第一前驱体供应隔室底壁(33)、第一前驱体供应隔室顶壁(32)和在所述第一前驱体供应隔室底壁(33)和所述第一前驱体供应隔室顶壁(32)之间延伸的一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37)，并且所述一个或多个第一通风流连接件(54)布置到所述第一前驱体供应隔室底壁(33)并且所述一个或多个第二通风流连接件(56)布置到所述一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37)。3.根据权利要求1或2所述的设备(2)，其特征在于，所述反应器隔室(10)包括一个或多个通风入口流连接件(53,56)，所述一个或多个通风入口流连接件(53,56)布置成将通风气
体提供到所述反应器隔室(10)中。4.根据权利要求3所述的设备(2)，其特征在于：
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在所述反应器隔室(10)中，所述设备通风排放连接件(4,6)在竖向方向上布置在所述一个或多个通风入口流连接件(53,56)上方；或者
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所述反应器隔室(10)包括反应器隔室顶壁(17)，并且所述设备通风排放连接件(4,6)设置到所述反应器隔室顶壁(17)并且在竖向方向上设置在所述一个或多个通风入口流连接件(53,56)上方；或者
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所述反应器隔室(10)包括反应器隔室底壁(18)、反应器隔室顶壁(17)和在所述反应器隔室底壁(18)和所述反应器隔室顶壁(17)之间延伸的一个或多个反应器隔室侧壁(19,22,23)，并且所述设备通风排放连接件(4,6)设置到所述反应器隔室顶壁(17)，所述一个或多个通风入口流连接件(53,56)设置到所述反应器隔室底壁(18)；或者
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所述反应器隔室(10)包括反应器隔室底壁(18)、反应器隔室顶壁(17)和在所述反应器隔室底壁(18)和所述反应器隔室顶壁(17)之间延伸的一个或多个反应器隔室侧壁(19,22,23)，并且所述设备通风排放连接件(4,6)设置到所述反应器隔室顶壁(17)，所述一个或多个通风入口流连接件(53,56)设置到所述一个或多个反应器隔室侧壁(19,22,23)。5.根据权利要求3或4所述的设备(2)，其特征在于：
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所述第一前驱体供应隔室(30)的所述一个或多个第二通风流连接件(56)形成所述反应器隔室(10)的所述一个或多个通风入口流连接件(56)，以使得通风气体布置成从所述第一前驱体供应隔室(30)流到所述反应器隔室(10)；或者
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所述第一前驱体供应隔室(30)和所述反应器隔室(10)相互连接，并且所述第一前驱体供应隔室(30)的所述一个或多个第二通风流连接件(56)形成所述反应器隔室(10)的一个或多个通风入口流连接件(56)，以使得通风气体布置成从所述第一前驱体供应隔室(30)流到所述反应器隔室(10)。6.根据权利要求5所述的设备(2)，其特征在于，所述第一前驱体供应隔室(30)的所述一个或多个第一通风流连接件(54)布置成形成所述设备(2)的所述一个或多个通风入口连接件(52)并且布置成将通风气体提供到所述设备外壳体(10,20,30,40)和所述第一前驱体供应隔室(30)中。7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备(2)，其特征在于，所述设备外壳体(10,20,30,40)包括仪器隔室(40)，所述仪器隔室(40)包括设备仪器元件(60,62,95,96)，所述仪器隔室(40)包括所述一个或多个通风入口连接件(52)和一个或多个通风出口流连接件(53,54)，所述一个或多个通风入口连接件(52)布置成将通风气体提供到所述设备外壳体(10,20,30,40)和所述仪器隔室(40)中，并且所述一个或多个通风出口流连接件(53,54)布置成从所述仪器隔室(40)排放通风气体。8.根据权利要求7所述的设备(2)，其特征在于：
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在所述仪器隔室(40)中，所述一个或多个通风出口流连接件(53,54)在竖向方向上布置在所述一个或多个通风入口连接件(52)上方；或者
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所述仪器隔室(40)包括仪器隔室底壁(42)，并且所述一个或多个通风入口连接件(52)设置到所述仪器隔室底壁(42)，在所述仪器隔室(40)中，所述一个或多个通风出口流连接件(53,54)在竖向方向上布置在所述一个或多个通风入口连接件(52)上方；或者
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所述仪器隔室(40)包括仪器隔室底壁(42)、仪器隔室顶壁(43)以及在所述仪器隔室底壁(42)和所述仪器隔室顶壁(43)之间延伸的一个或多个仪器隔室侧壁(44,45,46,47)，并且所述一个或多个通风入口连接件(52)设置到所述仪器隔室底壁(42)，所述一个或多个通风出口流连接件(53,54)设置到所述仪器隔室顶壁(43)；或者
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所述仪器隔室(40)包括仪器隔室底壁(42)、仪器隔室顶壁(43)以及在所述仪器隔室底壁(42)和所述仪器隔室顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：BENEQ有限公司，
类型：发明
国别省市：