MOCVD反应系统及REBCO高温超导带材的制法技术方案

本申请涉及一种MOCVD反应系统以及采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其中MOCVD反应系统包括：MOCVD反应腔，布置于MOCVD反应腔内的加热基板，设于所述加热基板上方的气体分配器；所述气体分配器包括其上竖向贯通开设多个射流孔的射流板，每个所述射流孔与所述MOCVD反应腔直接连通。本申请的技术方案能够在提高沉积速率的同时，改善沉积速率的均匀性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
MOCVD反应系统及REBCO高温超导带材的制法


[0001]本申请涉及超导领域，具体涉及一种MOCVD反应系统及REBCO高温超导带材的制法。

技术介绍

[0002]第二代高温超导带材具有零电阻特点，其制成的超导电缆的载流能力是现在铜电缆的5～10倍，制成的超导电机体积重量可缩小为原来的1/4，有着广阔的应用前景和巨大的市场潜力。
[0003]高温超导带材，是把高温超导薄膜沉积在便宜、柔性的金属基带上。金属基带一般几千到几百米长，几十微米厚，10-20毫米宽。先在金属基底上，用离子束辅助沉积法，形成一层准单晶的氧化物织构层，为高温超导薄膜提供外延生长的准单晶基底，叫做织构的金属基带。然后用卷对卷的MOCVD技术在织构的金属基带上沉积超导薄膜，形成可以替代铜材的超导带材。
[0004]现行的MOCVD工艺制备超导带材的方法见图1，超导薄膜在MOCVD真空反应腔内沉积，有机源气体从真空腔顶板引入，进入到一个气体均匀分配器，通过气体分配器2获得均匀的气流，再流向下方的加热基板进行化学反应沉积。获得均匀气流的方法，通过流阻控制来实现<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD反应系统，包括：MOCVD反应腔(3)，设于所述MOCVD反应腔内的加热基板(1)，以及布置于所述加热基板上方的气体分配器(2)；其特征在于，所述气体分配器(2)包括其上竖向贯通开设多个射流孔(202a)的射流板(202)，每个所述射流孔(202a)与所述MOCVD反应腔(3)直接连通。2.根据权利要求1所述的MOCVD反应系统，其特征在于，每个所述射流孔(202a)的长度和孔径的比值大于8。3.根据权利要求1所述的MOCVD反应系统，其特征在于，任一个射流孔(202a)与相邻射流孔(202a)的孔距，不小于所述任一个射流孔(202a)下端孔口与所述加热基板(1)上表面间距的1/10。4.根据权利要求1所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述气体分配器(2)还包括其上贯通开设多个均流孔(201a)的均流板(201)，所述射流板(202)布置于所述均流板(201)的下方。5.根据权利要求1所述的MOCVD反应系统，其特征在于，所述射流板(202)水平布置。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊旭明，王延凯，田卡，蔡渊，袁文，迮建军，
申请(专利权)人：东部超导科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：