扩散炉制造技术

本发明专利技术提供一种扩散炉，包括：反应腔室，沿第一方向延伸，反应腔室具有排气端，多个晶圆能够沿第一方向依次设置，晶圆表面沿第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直或呈一锐角；多个气体管道，贯通反应腔室的侧壁，以将外部反应气体引入反应腔室，气体通道自排气端沿第一方向分布，气体通道的轴心与第二方向具有一锐角夹角。本发明专利技术通过气体通道的倾斜设计使得自所述气体通道喷出的反应气体能够直达晶圆的中心，从而解决了沉积过程中两边厚中间薄的问题，而由于排气端排气的作用，反应气体到达晶圆中间会向两边扩散，同时晶舟旋转加速气体的扩散，使得单片晶圆表面中心与边缘沉积的膜层的厚度更加均匀，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
扩散炉


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种扩散炉。

技术介绍

[0002]扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
[0003]图1是现有的扩散炉的示意图，请参阅图1，所述扩散炉具有一反应腔10，晶圆11放置在晶舟12上，置于所述反应腔10内。在进行工艺沉积时，反应气体自所述反应腔10顶部喷淋，并扩散到晶圆11表面(反应气体的扩散路线请参阅图1中箭头所示)，进行沉积。现有的扩散炉的缺点在于，反应气体自所述反应腔10顶部喷淋，则在进行工艺沉积过程中，由于反应气体相对于晶圆是垂直喷射的，则顶部晶圆接触的反应气体较多，底部晶圆由于被阻挡，其接触的反应气体较少，使得同一批次晶圆膜厚不同，产品均匀性下降；而对底部被遮挡晶圆而言，反应气体自晶圆11的边缘向晶圆的中心扩散，使得晶圆11表面边缘的膜厚大于中心的膜厚，造成晶圆11表面膜厚不均匀，产品良率下降。
[0004]因此，如何提高晶圆表面沉积膜层的均匀性，成为目前本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扩散炉，其特征在于，包括：反应腔室，沿第一方向延伸，所述反应腔室具有排气端，多个晶圆能够沿第一方向依次设置，所述晶圆表面沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直或呈一锐角；多个气体管道，贯通所述反应腔室的侧壁，以将外部反应气体引入所述反应腔室，所述气体通道自所述排气端沿所述第一方向分布，且所述气体通道的轴心与所述第二方向具有一锐角夹角。2.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述锐角夹角的范围为3～20度。3.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，沿所述第一方向，自所述排气端起，所述气体通道的孔径逐渐减小。4.根据权利要求3所述的扩散炉，其特征在于，每一所述气体管道由至少一子通道组成，所述子通道贯通所述反应腔室的侧壁，所述子通道在所述反应腔室的侧壁上沿所述第二方向依次排列。5.根据权利要求4所述的扩散炉，其特征在于，同一所述气体管道中的子通道的孔径相同。6.根据权利要求4所述的扩散炉，其特征在于，同一所述气体管道中的子通道的孔径按照与所述排气端的距离由远至近逐渐增大。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔征，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：