基板污染物分析装置及基板污染物分析方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种基板污染物分析装置及基板污染物分析方法。根据本发明专利技术的基板污染物分析方法，包括隔着时间间隔向所述分析对象基板顺次供应用于蚀刻分析对象基板的蚀刻溶液的液滴和用于所述蚀刻溶液的稀释的稀释溶液的液滴的过程，所述蚀刻溶液及所述稀释溶液通过流路向所述喷嘴输送。根据本发明专利技术，具有在晶圆的特定地点获得深度方向的掺杂分布图的效果，尤其，使用扫描溶液稀释蚀刻溶液，从而，相比只使用蚀刻溶液的情况，使得试料的量增大，由此，能够更加容易地通过分析仪进行分析，并降低污染物的残留现象。

Analysis device for substrate pollutants and analysis method of substrate pollutants

The invention discloses a substrate pollutant analysis device and a method for the analysis of a substrate contaminant. According to the invention of the substrate pollutants analysis methods, including through the time interval to the analysis of substrate etching solution for etching in the supply of the droplet and the substrate used for diluting the dilute solution of the etching solution of the droplet, the etching solution and the dilute solution through the flow direction of the nozzle delivery. According to the invention, with profile depth direction in specific locations of the wafer effect, in particular, the use of scanning dilute solution of etching solution, thus, compared to using only the etching solution, the sample volume increases, thus, can more easily through the analysis, and reduce the residual contaminants phenomenon.

【技术实现步骤摘要】
基板污染物分析装置及基板污染物分析方法
本专利技术涉及一种能够通过In-Line分析金属原子等污染物的基板污染物分析装置及基板污染物分析方法。
技术介绍
作为以往有关半导体晶圆的污染物分析装置，公开了一种为了分析在晶圆表面吸附的金属性污染源，自动扫描晶圆表面而捕集污染物的装置结构等。在半导体制造工艺中发生的缺点(Defect)或不良及长期使用时寿命缩短等的主要原因之一是因为金属(金属)杂质。但，金属杂质不仅存在于晶圆表面，还存在于晶圆内部(基体:Bulk)，此类金属杂质在晶圆制造工艺中可直接形成于基体，也可因金属杂质的特性从外部入侵于基体，从而，在基体区域形成的此类金属杂质成为元件的电性异常等不良原因。但，上述的基板污染物分析装置存在如下问题：即只能扫描晶圆表面，只能分析晶圆表面的污染，而无法分析在晶圆基体(Bulk)内存在的污染物，或无法获得在晶圆的特定地点由深度方向的掺杂分布图。并且，基板污染物分析装置是导入半导体制造工艺中的光监控晶圆进行气相分解后,利用喷嘴扫描后分析仪进行分析。基板污染物分析在气相分解及扫描过程中伴随化学蚀刻的处理，并废弃完成分析的光监控晶圆，因此，光监控晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板污染物分析装置，作为在分析对象基板上利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，所述喷嘴包括喷嘴尖头部，在所述喷嘴尖头部的内侧沿着纵向形成有排气通道，该排气通道成为排出在蚀刻所述分析对象基板的过程中发生的气体的通道。

【技术特征摘要】
1.一种基板污染物分析装置，作为在分析对象基板上利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，所述喷嘴包括喷嘴尖头部，在所述喷嘴尖头部的内侧沿着纵向形成有排气通道，该排气通道成为排出在蚀刻所述分析对象基板的过程中发生的气体的通道。2.根据权利要求1所述的基板污染物分析装置，其特征在于，通过形成于所述喷嘴尖头部的内侧的流路，向所述分析对象基板侧至少提供用于所述蚀刻的蚀刻溶液和用于稀释所述蚀刻溶液的稀释溶液，并且，从所述分析对象基板吸入捕集污染物的样本溶液。3.根据权利要求2所述的基板污染物分析装置，其特征在于，用于吸入所述样本溶液的管道的前端位于相比用于提供所述蚀刻溶液或所述稀释溶液的管道的前端向下至所述分析对象基板的表面侧。4.一种基板污染物分析装置，作为在分析对象基板利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，所述喷嘴的喷嘴尖头部包括第1喷嘴尖头和包裹所述第1喷嘴尖头的外周面的第2喷嘴尖头，通过所述第1喷嘴尖头和所述第2喷嘴尖头的间隔排出净化气体，在所述第1喷嘴尖头部的内侧沿着纵向形成有排气通道，该排气通道成为排出在蚀刻所述分析对象基板的过程中发生的气体的通道。5.根据权利要求1或4所述的基板污染物分析装置，其特征在于，为了所述排气通道的排气，与所述喷嘴至少结合有排气管道，该排气通道的一端与所述排气通道连通，另一端与排气装置连接。6.根据权利要求1或4所述的基板污染物分析装置，其特征在于，所述排气通道通过连通口与所述喷嘴的外部连通。7.根据权利要求1或4所述的基板污染物分析装置，其特征在于，还包括用于支撑所述喷嘴的喷嘴托架，所述喷嘴尖头部并非固定于所述喷嘴托架，而安置在其上。8.根据权利要求7所述的基板污染物分析装置，其特征在于，所述喷嘴还包括从所述喷嘴尖头部的上方与所述喷嘴托架结合的喷嘴头，与所述喷嘴头结合有用于向所述喷嘴供应溶液及从所述喷嘴排出溶液的管道。9.一种基板污染物分析装置，作为导入接收在半导体制造工艺中的晶圆进行气相分解后，将捕集污染物的溶液向分析仪输送，并通过所述分析仪进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，包括回收利用单元，其为了回收利用完成所述污染物的捕集的晶圆，在通过晶圆夹夹持的状态下，通过至少包括酸系列或盐基系列的化学物质的溶液进行处理；...

【专利技术属性】
技术研发人员：田弼权，成墉益，朴准虎，朴泓荣，
申请(专利权)人：非视觉污染分析科学技术有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR