MOCVD is a huge system, and many physical and chemical phenomena occur simultaneously in the process of growth. The growth parameters of structure design, semiconductor thin film growth and the MOCVD system itself, the choice of reactants (e.g. chamber pressure, substrate temperature, gas flow, etc.) closely related to the growth step, all these factors work together to reach the ideal state in order to get high quality films. The aim of the invention is to provide a method for the growth uniformity of Zinc Oxide MOCVD intermittent spray process adjustment film, through the computer MOCVD device model to match experimental results of numerical simulation for batch control of MFC entrance switch, which can directly see the intermittent control effect of growth on uniformity of MOCVD films.
【技术实现步骤摘要】
氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法
本专利技术涉及半导体发光器件MOCVD设备薄膜生长
,特别涉及一种氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法。
技术介绍
Metal-organicChemicalVaporDeposition(金属有机化合物化学气相沉淀)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术,MOCVD(缩写)是一个庞大的系统,生长的过程中同时发生着许多物理和化学现象。半导体薄膜的生长与MOCVD系统本身的结构设计、反应物的选择、各项生长参数(例如反应室压力、衬底温度、气体流量等)、生长步骤等紧密相关,所有这些因素共同作用,达到理想状态才能得到高质量的薄膜。探究各种参数和边界条件对最终材料性质的影响,并进行优化和改进,这是一项庞大的工程。实际生长要对每个因素进行全面而系统的研究因而成本巨大,利用计算流体力学(CFD)通过建立仿真模型来进行数值计算就体现出强大的优越性,并成为了国内外的研究热点。通过理论计算,对生长参数进行优化,使实验次数和成本大幅减少,也可以对系统的设计提供有价值的指导。经过近几年的MOCVD设备改进和完善,特别是在源气体的纯化和运输以及生长系统的密封和净化方面的技术取得了重大突破后,作为具有生长超薄层、突变层和梯度层能力的MOCVD技术取得了很大的发展,推动了化合物半导体器件的发展。目前用这种技术已制出具有陡峭界面的量子阱、异质结、超晶格和选择掺杂等新结构的光电子器件,使它成为现代制备优质外延层的重要手段。因此,MOCVD成为目前应用最广的半导体材料生长方法 ...
【技术保护点】
氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法,其特征在于:a、利用MOCVD设备生长氧化锌薄膜,通过间歇控制多个MO源流量中的一个MO源流量来进行多组实验,生长完成后测量氧化锌薄膜上多个取样点的厚度,得到多组实验数值的薄膜沉积率;b、构建计算流体力学数值模拟模型并利用所述一个MO源流量进行数值模拟计算,监测所述多个取样点的薄膜沉积率,得到多组模拟数值的薄膜沉积率;c、将多组所述实验数值的薄膜沉积率分别和多组所述模拟数值的薄膜沉积率比对,待数值模拟结果和实验结果进行对比,验证数值模拟结果的正确性;d、进行实验设计,通过控制一个MO源开关,设置至少两不同的周期时长,分别计算至少两个不同的所述周期时长的多个周期;e、利用所述一个MO源开关的控制方式进行数值模拟,监测多个所述取样点的薄膜沉积率,得出转盘上不同位置的薄膜沉积率随时间变化的趋势;f、通过比较所述转盘上不同位置的薄膜沉积率随时间变化的趋势,找出并分析所述一个MO源开关控制方式对薄膜沉积率均匀性的影响。
【技术特征摘要】
1.氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法,其特征在于:a、利用MOCVD设备生长氧化锌薄膜,通过间歇控制多个MO源流量中的一个MO源流量来进行多组实验,生长完成后测量氧化锌薄膜上多个取样点的厚度,得到多组实验数值的薄膜沉积率;b、构建计算流体力学数值模拟模型并利用所述一个MO源流量进行数值模拟计算,监测所述多个取样点的薄膜沉积率,得到多组模拟数值的薄膜沉积率;c、将多组所述实验数值的薄膜沉积率分别和多组所述模拟数值的薄膜沉积率比对,待数值模拟结果和实验结果进行对比,验证数值模拟结果的正确性;d、进行实验设计,通过控制一个MO源开关,设置至少两不同的周期时长,分别计算至少两个不同的所述周期时长的多个周期;e、利用所述一个MO源开关的控制方式进行数值模拟,监测多个所述取样点的薄膜沉积率,得出转盘上不同位置的薄膜沉积率随时间变化的趋势;f、通过比较所述转盘上不同...
【专利技术属性】
技术研发人员:王钢,范冰丰,马学进,徐艺峰,李健,
申请(专利权)人:中山大学,佛山市中山大学研究院,
类型:发明
国别省市:广东,44
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