沉积制程的参数调整方法技术

一种沉积制程的参数调整方法，包含：接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据几何参数与热辐射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中的至少一物理场；与根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。

Parameter adjustment method of sedimentary process

Contains a parameter adjustment method of deposition process: receiving at least one geometric parameter of at least one process chamber and at least one thermal radiation parameter; at least according to the geometric parameters and the thermal radiation parameter, establish process model; according to the process model, simulation of deposition process, to predict the process chamber at least one of the physical according to the field; and physical field, at least one parameter adjustment of deposition process, and carry on the deposition process.

【技术实现步骤摘要】
沉积制程的参数调整方法
本专利技术实施例是关于一种沉积制程的参数调整方法。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition；CVD)是一种应用在半导体产业中生产薄膜的技术。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、电浆增强化学气相沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化学气相沉积等。在化学气相沉积的过程中，晶圆将暴露于一种或多种制程气体中，而这些制程气体可能会发生不同的变化，例如分解、沉积等反应并附着于晶圆上，继而在晶圆上形成所需的薄膜。
技术实现思路
本专利技术的一技术方案在于提供一种沉积制程的参数调整方法，其能使制程腔体内所预测的物理场更为准确。根据本专利技术的多个实施例，一种沉积制程的参数调整方法包含接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据几何参数与热辐射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中的至少一物理场；与根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。根据本专利技术的多个实施例，一种沉积制程的参数调整方法包含建立制程腔体的制程模型；将第一物理场考虑为变数，根据制程模型进行模拟，得到非全耦合模拟结果；将第二物理场考虑为变数，并代入非全耦合模拟结果，根据制程模型进行模拟，借此预期制程腔体中的第一物理场与第二物理场；与根据第一物理场与第二物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。根据本专利技术的多个实施例，一种沉积制程的参数调整方法包含接收至少一制程腔体的至少一热辐射参数与至少一反射参数；至少根据热辐射参数与反射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中至少一物理场；以及根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。本专利技术上述的多个实施例与已知先前技术相较，至少具有以下优点：(1)由于制程腔体的几何参数与热辐射参数都被包含在所建立的制程模型中，因此，所预测的物理场将会更为准确。更准确的预测，能够让调整后的参数更确实地把沉积制程最佳化。(2)通过接收制程腔体的至少一反射参数，并在建立制程模型时也考虑到所接收的反射参数，能有利于模拟热能被反射至晶圆，并对晶圆温度变化所产生的影响，进而使得所预测的物理场更为准确。(3)由于在非全耦合的模拟方式中，计算机在进行模拟及运算时将分为两个阶段逐一进行，因此，当在模拟并运算的过程中发现错误时，非全耦合的模拟方式能让使用者更容易追溯出错的源头，为使用者带来方便。(4)在应用非全耦合的模拟方式时，由于物理场的考虑及计算是分阶段性的，因此，在每一个阶段中，计算机所使用的随机存取记忆体，将会有效减少。如此一来，计算机进行模拟及运算的效率也得以提高。(5)在应用非全耦合的模拟方式时，由于物理场的考虑及计算是分阶段性的，因此，所涉及的网格数量也可以相应减少。如此一来，计算机进行模拟及运算的效率也得以提高。附图说明图1绘示依照本专利技术多个实施例的沉积制程的参数调整方法的操作流程图；图2绘示图1的制程模型的立体示意图；图3绘示图1的步骤130的流程示意图；图4绘示根据本专利技术多个实施例的处理系统的功能方块图。具体实施方式以下将以附图揭露本专利技术的多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施例中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。请参照图1，其绘示依照本专利技术多个实施例的沉积制程的参数调整方法100的操作流程图。如图1所示，沉积制程的参数调整方法100包含下列步骤(应了解到，在一些实施例中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行)：(1)接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数(步骤110)；(2)至少根据所接收的几何参数与热辐射参数，建立制程腔体的制程模型(步骤120)；(3)根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中的至少一物理场(步骤130)；以及(4)根据所预测的物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程(步骤140)。请参照图1～图2，图2绘示图1的制程模型的立体示意图。如上所述，制程腔体为实际上进行沉积制程的场所。具体而言，在应用沉积制程的参数调整方法100时，使用者可先接收制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数。然后，根据所接收的几何参数与热辐射参数，建立制程腔体的制程模型300。值得注意的是，制程模型300是在计算机或计算设备中所建立的模型。其后，根据所建立的制程模型300，模拟沉积制程的实际运作状况，并借此预测制程腔体中的至少一物理场。在一些实施例中，上述的物理场可包括温度场、流速场、压力场、流场或上述的任意组合，但本专利技术并不以此为限。然后，使用者再根据所预测的物理场，调整沉积制程的至少一参数，借此最佳化沉积制程。简单来说，沉积制程实质上在制程腔体内进行，为使沉积制程在制程腔体内的进行能够达到最佳的效果，在沉积制程进行前，可先以沉积制程的参数调整方法100调整会影响沉积制程效果的相关参数，接着再根据调整后的参数实际操作沉积制程。在气相沉积的过程中，在制程腔体内所发生的反应，所要考虑的因素林林种种，而且相关的参数也具有较大的变化范围。举例而言，在气相沉积的过程中所要考虑的参数至少包括：制程腔体内压力与温度的分布、热反射的角度、晶圆的厚度、晶圆旋转的速度、制程气体的化学成份、制程气体的流量、制程气体通过晶圆的路径、一种制程气体相对于另一种制程气体的比率(当制程气体为两种或以上时)、反应时中间产物的作用以及是否需要其它外部能量来加速或诱发想得到的反应等，此外部能量例如可为电浆。此外，外部能量的施予将另外带来其他参数的变化，例如离子与中性气流的比率，以及离子能和晶片上的射频偏压等。另外，沉积速率也是一个要考虑的因素，因为沉积速率决定着制程腔体的产出量，但过高的沉积速率也容易影响薄膜的品质。步骤140可通过直接或间接调整至少部分以上所举在气相沉积的过程中所要考虑的相关参数，来影响气相沉积的结果，例如：在整个晶圆内厚度的均匀性和在图形上的覆盖特性(覆盖特性是指跨图形台阶的覆盖能力)、薄膜的化学配比(化学成份和分布状态)、结晶晶向以及缺陷密度等。举例来说，制程腔体内的压力可在约1～600torr之间调整，制程气体的流量可在约10～1000sccm之间调整，制程腔体内的温度可在约300～1200℃之间调整，但本专利技术并不以此为限。在一些实施例中，由于制程腔体的几何参数与热辐射参数都被包含在所建立的制程模型300中，因此，所预测的物理场将会更为准确。更准确的预测，能够让调整后的参数更确实地把沉积制程最佳化。在实务的应用中，沉积制程的参数调整方法100可应用在磊晶成长设备上，以调整磊晶成长制程的相关参数，但本专利技术并不以此为限。进一步说明，接收热辐射参数(步骤110)还包含以下子步骤：(1.1)接收至少一热源在制程腔体中的位置，其中制程模型300的建立更考虑到热源在制程腔体中的位置。位于制程腔体中的热源，能够以热辐射的方式提升制程腔体内的温度以及晶圆的温度，使得制程腔体内的制程气体能够发生更佳及更快的化学反应，从而提高沉积制程进行的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积制程的参数调整方法，其特征在于，包含：接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据该几何参数与该热辐射参数，建立一制程模型；根据该制程模型，模拟该沉积制程，借此预测该制程腔体中的至少一物理场；以及根据该物理场，调整该沉积制程的至少一参数，并据此进行该沉积制程。

【技术特征摘要】
1.一种沉积制程的参数调整方法，其特征在于，包含：接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据该几何参数与该热辐射参数，建立一制程模型；根据该制程模型，模拟该沉积制程，借此预测该制程腔体中的至少一物理场；以及根据该物理场，调整该沉积制程的至少一参数，并据此进行该沉积制程。2.根据权利要求1所述的沉积制程的参数调整方法，其特征在于，还包含：接收至少一反射器在该制程腔体中的位置，其中该制程模型的建立更考虑到该反射器在该制程腔体中的位置。3.根据权利要求1所述的沉积制程的参数调整方法，其特征在于，该物理场包含至少一第一物理场与至少一第二物理场；其中模拟该沉积制程包含：将该第一物理场考虑为变数，进行模拟，得到一非全耦合模拟结果；以及将该第二物理场考虑为变数，并代入该非全耦合模拟结果，进行模拟，借此预期该第一物理场与该第二物理场。4.根据权利要求3所述的沉积制程的参数调整方法，其特征在于，该第一物理场包含流速与压力，该第二物理场包含温度。5.一种沉积制程的参数调整方法，其特征在于，包含：建立一制程腔体的一制程模型；将一第一物理场考虑为变数，根据该制程模型进行模拟，得到一...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪世玮，陈培儂，刘旭水，林剑锋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71