沉积源及其制造方法技术

提供了沉积源及其制造方法。作为示例，沉积源包括：坩埚，配置成其上侧被开口并且将沉积物质收容在其内部；加热器，布置在所述坩埚的外侧；以及喷嘴部，配置成结合至所述坩埚的被开口的上侧，并且其内面被研磨处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及沉积源及其制造方法。
技术介绍
在发光显示装置之中，有机发光显示装置作为自发光型显示器件，其不仅具有视角宽、对比度优秀的优点，而且还具有响应速度快的优点，因此作为下一代显示装置而备受瞩目。有机发光显示装置包括在阳极电极与阴极电极之间由有机发光物质构成的发光层。随着阳极电压和阴极电压分别施加到这些电极，从阳极电极注入的空穴(hole)经由空穴注入层和空穴传输层移动至发光层，而电子从阴极电极经由电子注入层和电子传输层移动至发光层，从而使得电子与空穴在发光层中复合。通过这种复合生成激子(exiton)，并且随着该激子从激发态跃迁至基态而从发光层放射出光，从而显示图像。有机发光显示装置包括像素限定膜，其中该像素限定膜具有开口部以暴露以像素为单位形成的阳极电极，并且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极电极形成在通过该像素限定膜的开口部暴露的阳极电极上。其中，阳极电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极电极可通过各种方法形成，其中一种方式为沉积方法。
技术实现思路
用于执行沉积方法的沉积装置具有沉积源，其中该沉积源包括储存沉积物质的坩埚、加热坩埚的加热器、形成使通过坩埚加热的沉积物质朝衬底方向排出的路径的喷嘴部、以及收纳坩埚、喷嘴部和加热器的壳体。另外，由于坩埚和喷嘴部由金属材料加工而成，所以坩埚和喷嘴部的表面粗糙度高。然而，当喷嘴部的表面粗糙度高时，在经由喷嘴部排出通过坩埚加热的沉积物质时可能导致沉积物质的直进性低且分散性大。在这种情况下，通过坩埚加热的沉积物质可能吸附到喷嘴部中，另外，经由喷嘴部排出的沉积物质可能在到达衬底之前泄漏至其它部分。例如，沉积物质可能堆积到布置在衬底与沉积源之间的遮挡板上。由此，需要更大量的用于在衬底上形成薄膜的沉积物质，因此可能导致对于沉积物质的用量上的材料浪费。其结果，可能导致沉积工艺中的沉积效率低下。对此，本专利技术所要解决的技术问题在于提供如下沉积源，即，该沉积源通过确保沉积物质的直进性来增加在沉积工艺中沉积到衬底上的沉积物质的量从而能够提高沉积效率。此外，本专利技术所要解决的另一技术问题在于提供如下沉积源的制造方法，即，该沉积源的制造方法通过确保沉积物质的直进性来增加在沉积工艺中沉积到衬底上的沉积物质的量从而能够提高沉积效率。本专利技术所要解决的技术问题并不限于上文中所提及的技术问题，并且通过下文中的记载，本领域技术人员能够明确地理解未提及的或其它的技术问题。用于实现上述技术问题的根据本专利技术一实施方式的沉积源包括：坩埚，配置成其上侧被开口并且将沉积物质收容在其内部；加热器，布置在所述坩埚的外侧；以及喷嘴部，配置成结合至所述坩埚的被开口的上侧，并且其内面被研磨处理。所述研磨处理可为电解研磨处理。所述喷嘴部可包括覆盖所述坩埚的被开口的上侧的喷嘴本体、以及布置在所述喷嘴本体上并且具有开口以排放所述沉积物质的至少一个喷嘴。所述开口可包括第一开口和第二开口，其中所述第一开口具有宽度随着从所述喷嘴的外侧朝着所述坩埚的内部方向移动而减小的形态，并且其中，所述第二开口与所述第一开口连通，并且所述第二开口具有与所述第一开口的最小宽度相同的宽度并且具有朝着所述坩埚的内部方向延伸的形态。所述开口还可包括第三开口，所述第三开口与所述第二开口连通并且具有随着从与所述第二开口接触的部分朝着所述坩埚的内部方向移动而减小的宽度。此外，所述沉积源还可包括内板，所述内板在所述坩埚的内部布置在所述沉积物质的上方并且具有多个贯通孔，并且所述喷嘴的长度大于所述喷嘴与所述内板之间的距离。用于实现上述技术问题的根据本专利技术另一实施方式的沉积源包括：坩埚，配置成其上侧被开口并且将沉积物质收容在其内部；加热器，布置在所述坩埚的外侧；以及喷嘴部，配置成结合至所述坩埚的被开口的上侧，并且其内面具有比所述坩埚的内面的表面粗糙度低的表面粗糙度。所述坩埚和所述喷嘴部可由相同的材料加工而成。所述坩埚的内面可被研磨处理。所述研磨处理可为电解研磨处理。用于实现上述另一技术问题的根据本专利技术一实施方式的沉积源的制造方法包括以下步骤：准备坩埚，其中所述坩埚配置成其上侧被开口并且将沉积物质收容在其内部；准备喷嘴部，其中所述喷嘴部配置成结合至所述坩埚的被开口的上侧并且其内面被研磨处理；以及将所述喷嘴部结合至所述坩埚的被开口的上侧。所述研磨处理可为电解研磨处理。准备所述喷嘴部的步骤可包括将所述喷嘴部形成为包括覆盖所述坩埚的被开口的上侧的喷嘴本体、以及布置在所述喷嘴本体上并且具有开口以排放所述沉积物质的至少一个喷嘴。所述开口可包括第一开口和第二开口，其中所述第一开口具有宽度随着从所述喷嘴的外侧朝着所述坩埚的内部方向移动而减小的形态，并且其中，所述第二开口与所述第一开口连通，并且所述第二开口具有与所述第一开口的最小宽度相同的宽度并且具有朝着所述坩埚的内部方向延伸的形态。所述开口还可包括第三开口，所述第三开口与所述第二开口连通并且具有随着从与所述第二开口接触的部分朝着所述坩埚的内部方向移动而减小的宽度。准备所述坩埚的步骤可包括在所述坩埚的内部将具有多个贯通孔的内板布置在所述沉积物质的上方，并且准备所述喷嘴部的步骤可包括将所述喷嘴部形成为使所述喷嘴的长度大于所述喷嘴与所述内板之间的距离。其它实施方式的具体事项包括在详细说明以及附图中。根据本专利技术实施方式至少实现如下所述的效果。在根据本专利技术一实施方式的沉积源中，通过确保沉积物质的直进性来增加在沉积工艺中沉积到衬底上的沉积物质的量从而能够提高沉积效率。根据本专利技术的效果并不限于上文中所例示的内容，并且更加多样的效果包括在本说明书中。附图说明图1是示意性示出根据本专利技术一实施方式的沉积装置的结构图。图2是示出图1的沉积源的立体图。图3是图2的I-I线的剖视图。图4是图3的“A”部分的放大剖视图。图5是示出经过图4的喷嘴部的沉积物质的分子运动的视图。图6是示出图4的喷嘴部的另一示例的剖视图。图7是示出经过图6的喷嘴部的沉积物质的分子运动的视图。图8至图10是用于说明图2的沉积源的制造方法的立体图。具体实施方式通过参照在下文中结合附图详细描述的实施方式，本专利技术的优点和特征以及实现它们的方法将变得明确。然而，本专利技术并不受下文中所公开的实施方式限制，而是可通过彼此不同的多种形态来实现。本实施方式仅仅是为了使本专利技术的公开完整并且为了将专利技术范围完整地传达给本专利技术所属
的普通技术人员而提供的，并且本专利技术仅通过权利要求书的范围来定义。当元件(element)或层被称为在其它元件或层“上(on)”时，其包括直接在其它元件或层上的情况和中间插设有其它层或其它元件的情况。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的构成要素。虽然第一、第二等用于叙述多种构成要素，但是应明确，这些构成要素并不受这些措辞限制。这些措辞仅仅用于将一个构成要素与其它构成要素区分开。因此，应明确，下文中所提及的第一构成要素在不背离本专利技术技术思想的情况下也可称为第二构成要素。下文中，将参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1是示意性示出根据本专利技术一实施方式的沉积装置的结构图。参照图1至图3，沉积装置10可包括腔室100、衬底保持件200、沉积源300、掩模400和移送部件500。本文档来自技高网...

【技术保护点】
沉积源，包括：坩埚，配置成其上侧被开口并且将沉积物质收容在其内部；加热器，布置在所述坩埚的外侧；以及喷嘴部，配置成结合至所述坩埚的被开口的上侧并且其内面被研磨处理。

【技术特征摘要】
2015.10.06 KR 10-2015-01402491.沉积源，包括：坩埚，配置成其上侧被开口并且将沉积物质收容在其内部；加热器，布置在所述坩埚的外侧；以及喷嘴部，配置成结合至所述坩埚的被开口的上侧并且其内面被研磨处理。2.如权利要求1所述的沉积源，其中，所述研磨处理为电解研磨处理。3.如权利要求1所述的沉积源，其中所述喷嘴部包括：喷嘴本体，覆盖所述坩埚的被开口的上侧；以及至少一个喷嘴，布置在所述喷嘴本体上并且具有开口以排放所述沉积物质。4.如权利要求3所述的沉积源，其中所述开口包括：第一开口，具有宽度随着从所述喷嘴的外侧朝着所述坩埚的内部方向移动而减小的形态；以及第二开口，与所述第一开口连通，具有与所述第一开口的最小宽度相同的宽度，并且具有朝着所述坩埚的内部方...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴国喆，金陶煐，鲁硕原，尹振硕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR