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一种沉积制程的参数调整方法,包含:接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数;至少根据几何参数与热辐射参数,建立制程模型;根据制程模型,模拟沉积制程,借此预测制程腔体中的至少一物理场;与根据物理场,调整沉积制程的至少一参数,并据...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种沉积制程的参数调整方法,包含:接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数;至少根据几何参数与热辐射参数,建立制程模型;根据制程模型,模拟沉积制程,借此预测制程腔体中的至少一物理场;与根据物理场,调整沉积制程的至少一参数,并据...