有机铝、镓源混溶式制备铝镓酸铋薄膜的装置制造方法及图纸

一种用于制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的装置，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，铝、镓有机源混合溶解在溶剂中。通过采用本发明专利技术的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的装置，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。

A device for the preparation of bismuth al gallium thin film by organic aluminum and gallium source

A method for preparation of Bi (AlxGa1 x) device of O3 thin film materials, Bi (AlxGa1 x) growth of O3 thin films on the substrate material, the precursor time self limiting surface adsorption separation type have been used, aluminum, organic gallium source mixed dissolved in solvents. The Bi prepared by the invention of the device (AlxGa1 x) O3 thin film materials, can achieve Bi (AlxGa1 x) precisely controlled growth of O3 film thickness, and the Bi (AlxGa1 x) the smoothness of the surface of O3 film is much better than the existing technology.

【技术实现步骤摘要】
有机铝、镓源混溶式制备铝镓酸铋薄膜的装置
本专利技术涉及一种铋基氧化物薄膜材料的制备装置，具体地说是一种Bi(AlxGa1-x)O3铁电薄膜材料的制备装置。
技术介绍
本专利技术是申请号为CN201510765158.2的分案申请。Pb(Zr1-xTix)O3(锆钛酸铅，简写为PZT)是一种性能优异的铁电材料。PZT是PbZrO3和PbTiO3的固溶体，具有钙钛矿型结构。PbTiO3和PbZrO3是铁电体和反铁电体的典型代表，因为Zr和Ti属于同一副族，PbTiO3和PbZrO3具有相似的空间点阵形式，但两者的宏观特性却有很大的差异，钛酸铅为铁电体，其居里温度为492℃，而锆酸铅却是反铁电体，居里温度为232℃，如此大的差异引起了人们的广泛关注。研究PbTiO3和PbZrO3的固溶体后发现PZT具有比其它铁电体更优良的压电和介电性能，PZT以及掺杂的PZT系列铁电陶瓷成为近些年研究的焦点。然而，由于PZT含有铅元素，致使其生产、使用过程中容易造成对环境的污染，在欧美许多国家的法律中，已经明确规定限制或禁止使用含铅的电子元器件，这极大地影响了PZT的运用。近年来，Baettig从理论上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法的装置，其特征在于：装置包括但不限于：真空反应腔、真空计、真空泵、有机铋源容器1、有机铋源管路手动阀K1、有机铋源管路自动阀AK1、有机铋源载气管路质量流量控制器MFC1、有机铝镓源容器2、有机铝镓源管路手动阀K2、有机铝镓源管路自动阀AK2、有机铝镓源载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体源容器3、氧前驱体管路手动阀K3、氧前驱体管路自动阀AK3、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3、惰性气体容器4、惰性气体管路手动阀K4、真空泵进气口自动阀门AK4、设备控制器，真空反应腔中设有电加热器和温度传感器；有机铋源容器1、有机铝镓源容器2、...

【技术特征摘要】
1.一种用于制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法的装置，其特征在于：装置包括但不限于：真空反应腔、真空计、真空泵、有机铋源容器1、有机铋源管路手动阀K1、有机铋源管路自动阀AK1、有机铋源载气管路质量流量控制器MFC1、有机铝镓源容器2、有机铝镓源管路手动阀K2、有机铝镓源管路自动阀AK2、有机铝镓源载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体源容器3、氧前驱体管路手动阀K3、氧前驱体管路自动阀AK3、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3、惰性气体容器4、惰性气体管路手动阀K4、真空泵进气口自动阀门AK4、设备控制器，真空反应腔中设有电加热器和温度传感器；有机铋源容器1、有机铝镓源容器2、氧前驱体源容器3的容器均设有电加热器和半导体制冷器；有机铝镓源容器2用于盛放有机铝源、有机镓源混合溶解于有机溶剂中得到的溶液；有机铋源容器1的出口通过气体管路依次连接到有机铋源管路手动阀K1、有机铋源管路自动阀AK1、真空反应腔，有机铝镓源容器2的出口通过气体管路依次连接到有机铝镓源管路手动阀K2、有机铝镓源管路自动阀AK2、真空反应腔，氧前驱体源容器3的出口通过气体管路依次连接到氧前驱体管路手动阀K3、氧前驱体管路自动阀AK3、真空反应腔，惰性气体容器4的出口通过气体管路连接到惰性气体管路手动阀K4，再通过分支管路分别连接到有机铋源载气管路质量流量控制器MFC1、有机铝镓源载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3，有机铋源载气管路质量流量控制器MFC1的出口通过三通连接件连接在有机铋源管路自动阀AK1与真空反应腔之间的气体管路上，有机铝镓源载气管路质量流量控制器MFC2的出口通过三通连接件连接在有机铝镓源管路自动阀AK2与真空反应腔之间的气体管路上，氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3的出口通过三通连接件连接在有机铋源管路自动阀AK3与真空反应腔之间的气体管路上，真空反应腔的出口通过管路依次连接到真空泵进气口自动阀门AK4、真空泵的进气口；真空腔中设有真空计；有机铋源管路手动阀K1、有机铝镓源管路手动阀K2、氧前驱体管路手动阀K3、惰性气体管路手动阀K4均由操作人员手动打开，不受控制器所控制；真空计、有机铋源管路自动阀AK1、有机铋源载气管路质量流量控制器MFC1、有机铝镓源管路自动阀AK2、有机铝镓源载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体源容器3、氧前驱体管路自动阀AK3、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3、真空反应腔、真空泵、真空泵进气口自动阀门AK4、真空反应腔中的电加热器、温度传感器以及所述有机铋源容器1、有机铝镓源容器2、氧前驱体源容器3的电加热器和半导体制冷器均通过电缆连接到设备控制器均通过电缆连接到设备控制器，由设备控制器集中控制各自的工作状态；分别以N、B、O、G来代表惰性气体脉冲、有机铋...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海宏，宋长青，王志亮，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32