一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备技术

本发明专利技术涉及太阳能电池制造技术领域，尤其是涉及一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备。该方法包括如下步骤：将硅烷供气管路、氨气供气管路和笑气供气管路分别连接于PECVD的反应腔，并在每种供气管路上配置有一气体流量控制器；根据每层待镀的膜层结构设定硅烷、氨气和笑气三种气体的流量参数；气体流量控制器分别按照所设定的流量参数控制输入对应的气体至PECVD的反应腔中。该方法通过气体流量控制器既能实现定量控制气体的流量，又能实现变量控制气体的流量，而且在镀膜时分别向PECVD的反应腔中通入氨气、硅烷和笑气三种气体，因此该方法生产的膜层结构具有较好的光学特性。

Gas control method and equipment for PECVD coating

The invention relates to the technical field of solar cell manufacturing, in particular to a gas control method and equipment for PECVD coating. The method comprises the following steps: the reaction cavity silane gas supply pipeline, gas pipeline and gas ammonia gas supply pipeline are respectively connected to the PECVD, and in each air pipeline is equipped with a gas flow controller; according to the flow parameters of each layer of the plating film structure of silane and ammonia and nitrous oxide three gases; gas flow controller according to the reaction cavity flow parameters set by the control input corresponding to the gas PECVD. The method of gas flow through the controller can realize the quantitative control of gas flow, and can realize the variable control of gas flow, and in the coating respectively to the reaction cavity PECVD in NH3, silane and nitrous oxide three gases, so the film structure produced by the method has good optical properties.

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备
本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其是涉及一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备。
技术介绍
目前，晶体硅太阳电池行业普遍采用PEVCD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)方式制作出减反射膜，对应的管式PEVCD机台普遍所使用的特气为氨气和硅烷，由于机台只能定量供应氨气和硅烷的流量，不能变量控制，因此，传统的减反射膜通常为2到3层氮化硅膜层结构，此结构的反射率较高，且在抗PID(PotentialInducedDegradation，高压诱导衰减效应)性能上无优势。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术的总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备，以解决现有技术中因特气供应种类单一、特气供应只能定量而导致所形成的膜层结构光学特性差的技术问题。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种PECVD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将硅烷供气管路、氨气供气管路和笑气供气管路分别连接于PECVD的反应腔，并在每种供气管路上配置有一气体流量控制器；S2、根据每层待镀的膜层结构设定硅烷、氨气和笑气三种气体的流量参数；S3、气体流量控制器分别按照所设定的流量参数控制输入对应的气体至PECVD的反应腔中。

【技术特征摘要】
1.一种PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将硅烷供气管路、氨气供气管路和笑气供气管路分别连接于PECVD的反应腔，并在每种供气管路上配置有一气体流量控制器；S2、根据每层待镀的膜层结构设定硅烷、氨气和笑气三种气体的流量参数；S3、气体流量控制器分别按照所设定的流量参数控制输入对应的气体至PECVD的反应腔中。2.根据权利要求1所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，步骤S2中所述待镀的膜层结构包括非渐变膜层；所述非渐变膜层在生成时，所设定的每种气体的流量参数是固定值。3.根据权利要求2所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，步骤S2中所述待镀的膜层结构还包括渐变膜层；所述渐变膜层在生成时，所设定的每种气体的流量参数是渐变值。4.根据权利要求3所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，所述渐变值是按照特定斜率k呈线性变化，斜率k满足：K＝(Q1-Q2)/t其中，Q1表示每层渐变前对应每种气体所需的流量，Q2表示每层渐变后对应每种气体所需的流量，t表示每层渐变过程所需时间。5.根据权利要求3所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，所述非渐变膜层包括第一氮氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，所述渐变膜层包括第一氮化硅渐变膜层，将所述第一氮化硅膜层沉积在所述第一氮氧化硅膜层之上，将所述第一氮化硅渐变膜层沉积在所述第一氮化硅膜层之上；所述第一氮氧化硅膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:5～1:20:10；所述第一氮化硅膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷与氨气二者的流量比例设置为1:3～1:5；所述第一氮化硅渐变膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:8～1:20:15。6.根据权利要求3所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁中存，党继东，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32