用于对大面积的基板覆层的CVD或PVD反应器制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于对大面积的基板覆层的CVD或PVD反应器
本专利技术涉及一种CVD(化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)覆层装置，其具有壳体、固定在壳体上的进气机构、具有固定在壳体的上部区段上的固持装置，所述进气机构具有具备排气口的排气面，进气机构在多个悬挂位置上固定在所述固持装置上。
技术介绍
在EP1815493B1中描述了这种类型的覆层装置，其示出覆层装置的壳体，在壳体内安置有固持装置，该固持装置固持进气机构。类似的设备在US2008/0317973A1中描述。这种类型的覆层装置具有用于容纳待覆层的基板的基座和承担气体分配器作用的进气机构，处理气体通过进气机构可以被导入处理室内，处理室在气体分配器的下侧和基座之间延伸。气体分配器在其下侧具有多个排气口，处理气体通过排气口可以进入处理室内。在气体分配器的内部，用于分配处理气体的腔室位于排气口上。这种类型的气体分配器例如在DE102013101534A1内描述。为了沉积OLED，在被加热的气体分配器内借助运载气体输入气态的有机的初始材料。气态的初始材料穿过排气口进入处理室内，以便在基板上冷凝，基板为此放置在被冷却的基座上。...
【技术保护点】
一种CVD或PVD覆层装置，具有壳体(1、2)和固定在壳体(1、2)上的具有进气机构(7)的组件(23)，所述进气机构(7)具有具备排气口(8)的、在排气平面内延伸的排气面(7’)，所述组件(23)通过固定件(13、14)固定在壳体(1)的上部区段中的多个悬挂位置(6’)上，其中，设有调温件(9)，所述进气机构(7)借助所述调温件(9)能够从基本上与壳体(1、2)温度相当的第一温度调温至与壳体温度不同的第二温度，其中，所述固定件(13、14)具有力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)，当由于调温导致组件(23)的尺寸发生变化时，所述力传递件发生...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.20 DE 102014019721.2;2015.06.29 DE 10201511.一种CVD或PVD覆层装置，具有壳体(1、2)和固定在壳体(1、2)上的具有进气机构(7)的组件(23)，所述进气机构(7)具有具备排气口(8)的、在排气平面内延伸的排气面(7’)，所述组件(23)通过固定件(13、14)固定在壳体(1)的上部区段中的多个悬挂位置(6’)上，其中，设有调温件(9)，所述进气机构(7)借助所述调温件(9)能够从基本上与壳体(1、2)温度相当的第一温度调温至与壳体温度不同的第二温度，其中，所述固定件(13、14)具有力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)，当由于调温导致组件(23)的尺寸发生变化时，所述力传递件发生变形或相对移动，其特征在于，所述组件包括固持装置(3)，所述进气机构(7)借助多个在整个水平的延伸面上分散布置的悬吊件(6)固定在所述固持装置(3)上，并且所述固持装置(3)通过所述力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)固定在所述壳体(1)上。2.根据权利要求1所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述固持装置(3)仅在其水平边缘(3’)上固定在所述壳体(1、2)上。3.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述固持装置(3)通过可弹性变形的力传递件(26.1、26.2、26.4)固定在所述壳体(1、2)上，所述力传递件具有主变形方向，所述主变形方向指向组件(23)的水平的面重心(M)。4.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述悬吊件(6)沿竖向从悬挂位置(6)延伸至固持装置(3)。5.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，在所述进气机构(7)与固持装置(3)之间的竖向间距内布置有调温装置(11、12)和/或一个或多个隔热件(10、11)。6.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述固定件(13、14、13.1、13.2、13.3、13.4)在具有矩形基础面的组件(23)的边缘上布置在多角形、尤其三角形或四角...
【专利技术属性】
技术研发人员：PMA巴克斯，R阿布德尔卡里姆，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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