一种复合基材高频覆铜箔板制造技术

本实用新型专利技术公开一种复合基材高频覆铜箔板，其包括一绝缘增强层、一陶瓷基层、一聚四氟乙烯浸渍层和一铜箔层；绝缘增强层、陶瓷基层、聚四氟乙烯浸渍层和铜箔层按顺序叠合；或者，该复合基材高频覆铜箔板包括：一绝缘增强层、两个陶瓷基层、两个聚四氟乙烯浸渍层和两个铜箔层；绝缘增强层、陶瓷基层、聚四氟乙烯浸渍层和铜箔层是以绝缘增强层为中心对称并顺序叠合的。该复合基材高频覆铜箔板具备良好的高频电气性能，介电常数和介质损耗因数低，同时具有较好的散热性和安全性，成本较低，能够提升产品的推广适应性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及层压板领域，特别涉及一种复合基材高频覆铜箔板。
技术介绍
随着科学技术的发展，各类功能材料的研究和应用也得到了突飞猛进的发展。在电子产品领域中，随着电子产品功能化的逐步提升，以及电子产品向更快、更小、更轻的方向发展，电子产品在大型计算机设备如大型及超大型计算机、计算机服务器和大型程控交换器等方面的应用得到了长足的发展，其电子信号的传送频率不断增大，甚至达到GHz水平，这就要求电子信号的传输要更快，对信号的传输要干扰更小，准确率更高，在传输过程中的损失较小，并且面对长时间运行和大电流而产生的热量的疏散性要好。另外，随着通讯终端服务的日益完善，电子产品终端的发展越来越小、轻、快，高密度集成技术的应用，对产品的安全性、信号传输的快捷性和准确性都提出了较高的要求。因此，在电子产品中，对于承载电子主要元器件的覆铜箔板，对其的要求不再是简单的承载和绝缘作用，而是将保障产品的安全性、提高电子信号的传输的高效性和准确性、减少对电路信号的干扰性等诸多要求集于一身，从而对覆铜箔板的高频电气性能提出了较高的要求，即要求覆铜箔板具备较低的介电常数ε和介质损耗因数a。近年来，出现了一些具备高频功能的覆铜箔板，这些产品完全采用聚四氟乙烯材料和低介电玻璃纤维布(又称D玻璃纤维布)生产，然而由于材料价格较高，推广缓慢。而此类的覆铜板多为挠性版，无法在大型电气设备和大尺寸制版印制电路板中应用。而且在实际应用中，对电路本身产生的大量热量无法很好地疏散，导致其应用性较差。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有的具备高频功能的覆铜箔板材料价格高，而普通的覆铜箔板难以应用于大型电器设备的缺陷，提供一种复合基材高频覆铜箔板。该复合基材高频覆铜箔板具备良好的高频电气性能，同时具有较好的散热性和安全性，成本较低，能够提升产品的推广适应性。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题。本技术提供了一种复合基材高频覆铜箔板，其包括一绝缘增强层、一陶瓷基层、一聚四氟乙烯浸溃层和一铜箔层；所述绝缘增强层、所述陶瓷基层、所述聚四氟乙烯浸溃层和所述铜箔层按顺序叠合；或者，所述的复合基材高频覆铜箔板包括:一绝缘增强层、两个陶瓷基层、两个聚四氟乙烯浸溃层和两个铜箔层；所述的绝缘增强层、所述的陶瓷基层、所述的聚四氟乙烯浸溃层和所述的铜箔层是以所述绝缘增强层为中心对称并顺序叠合的。按本领域常识，所述的陶瓷基层由陶瓷半固化片组成。所述的陶瓷半固化片是由含有超细陶瓷填充粉体的胶黏剂浸溃增强材料制成的。所述的陶瓷半固化片的制备步骤为:将超细陶瓷填充粉体分散在高粘度树脂胶黏剂中形成稳定的胶粘体系，再将增强材料浸溃于所述胶粘体系中，经高温烘烤形成半固化状态的陶瓷半固化片。所述的陶瓷基层包括一张以上的陶瓷半固化片。所述陶瓷半固化片的厚度较佳地为0.1mnT0.5_。按本领域常识，所述的聚四氟乙烯浸溃层由聚四氟乙烯浸溃片组成。所述的聚四氟乙烯浸溃片是由聚四氟乙烯浓缩液浸溃增强材料制成的。所述的聚四氟乙烯浸溃片的制备步骤为:以聚四氟乙烯浓缩液浸溃增强材料，再将浸溃后的增强材料经烘烤脱出水分、溶剂和表面活性剂后，形成半固化的聚四氟乙烯浸溃片。所述的聚四氟乙烯浸溃层包括一张以上的聚四氟乙烯浸溃片。所述聚四氟乙烯浸溃片的厚度较佳地为0.05mnT0.5mm。按本领域常识，所属的绝缘增强层由环氧树脂半固化片组成。所述的环氧树脂半固化片是由环氧胶黏剂浸溃增强材料制成的。所述环氧树脂半固化片的常规制备步骤为:将环氧胶黏剂浸溃增强材料，经高温烘烤，形成环氧树脂半固化片。所述的绝缘增强层较佳地包括一张以上的环氧树脂半固化片。所述环氧树脂半固化片的厚度较佳地为0.lmn~0.3mm。所述的铜箔层为本领域常规的铜箔。所述铜箔层的厚度较佳地为9 μ πΓ105 μ m。所述的增强材料为覆铜箔板领域常规使用的增强材料，较佳地为玻璃纤维布、玻璃纤维无纺布或纤维纸。所述的叠合是通过加热压合的方式形成的。所述的加热压合工艺为本领域的常规工艺，一般为:将各层按顺序叠加后，送入真空压合设备，在高温条件下加压使各层之间固化粘合，即可。本技术的积极进步效果在于:1、具备良好的高频电气性能，由于聚四氟乙烯、陶瓷和绝缘增强材料的应用，使得覆铜箔板具备较低的介电常数和介质损耗因数，其介电常数ε小于3.3，介质损耗因数α小于0.0046,更好地保障电子信号传输的高效性、准确性和安全性；2、具有优秀的散热性，超细陶瓷填充粉体可在胶黏剂内部形成四通八达的散热通道，可以有效地疏散电路本身产生的大量热量，提升了覆铜箔板及相关电子元器件的安全性，同时保障了整机产品的安全性能和使用寿命，3、由于超细陶瓷填充粉体的加入可以改善树脂体系的高频电气性能，从而可以减少聚四氟乙烯材料的比例，有效地控制了生产成本。附图说明图1为实施例1的横截面图。图2为实施例2的横截面图。附图中的标记分别表示:11:绝缘增强层；21:陶瓷基层；31:聚四氟乙烯浸溃层；41:铜箔层。具体实施方式以下结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。实施例1一种如图1所示的复合基材高频覆铜箔板，其包括一绝缘增强层11、一陶瓷基层21、一聚四氟乙烯浸溃层31和一铜箔层41 ;绝缘增强层11、陶瓷基层21、聚四氟乙烯浸溃层31和铜箔层41是按顺序叠合的；其中，绝缘增强层11包括5张环氧树脂半固化片，每张环氧树脂半固化片的厚度均为0.2mm ;陶瓷基层21为I张陶瓷半固化片，厚度为0.3mm ;聚四氟乙烯浸溃层31为I张聚四氟乙烯浸溃片，厚度为0.2mm ;铜箔层41的厚度为35 μ m。其中，环氧树脂半固化片、陶瓷半固化片和聚四氟乙烯浸溃层中所用的增强材料均为玻璃纤维布。该复合基材高频覆铜箔板的介电常数ε小于3.3，介质损耗因数α小于0.0046。实施例2一种如图2所示的复合基材高频覆铜箔板，其包括一绝缘增强层11、两个陶瓷基层21、两个聚四氟乙烯浸溃层31以及两个铜箔层41 ;各层由上到下为铜箔层41、聚四氟乙烯浸溃层31、陶瓷基层21、绝缘增强层11、陶瓷基层21、聚四氟乙烯浸溃层31和铜箔层41，各层依次叠合；其中，绝缘增强层11包括三张环氧树脂半固化片，每张环氧树脂半固化片的厚度均为0.2mm ;陶瓷基层21包括两张陶瓷半固化片，厚度为0.3mm ;聚四氟乙烯浸溃层31包括两张聚四氟乙烯浸溃片，厚度为0.2mm ;铜箔层41的厚度为35 μ m。其中，环氧树脂半固化片、陶瓷半固化片和聚四氟乙烯浸溃层中所用的增强材料均为玻璃纤维布。该复合基材高频覆铜箔板的介电常数ε小于3.3，介质损耗因数α小于0.0046。虽然以上描述了本技术的具体实施方式，本领域的技术人员应当理解，上述表述仅为对本技术的说明和解释，并非对本技术的限制。本技术的保护范围由权利要求书所限定。任何对本技术所做的修改、改进以及等同替换，均包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，其包括一绝缘增强层、一陶瓷基层、一聚四氟乙烯浸渍层和一铜箔层；所述绝缘增强层、所述陶瓷基层、所述聚四氟乙烯浸渍层和所述铜箔层按顺序叠合。

【技术特征摘要】
1.一种复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，其包括一绝缘增强层、一陶瓷基层、一聚四氟乙烯浸溃层和一铜箔层；所述绝缘增强层、所述陶瓷基层、所述聚四氟乙烯浸溃层和所述铜箔层按顺序叠合。2.如权利要求1所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述的陶瓷基层包括一张以上的陶瓷半固化片；所述的陶瓷半固化片是由含有超细陶瓷填充粉体的胶黏剂浸溃增强材料制成的。3.如权利要求2所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述陶瓷半固化片的厚度为 0.1mm 0.5mmο4.如权利要求1所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述的聚四氟乙烯浸溃层包括一张以上的聚四氟乙烯浸溃片；所述的聚四氟乙烯浸溃片是由聚四氟乙烯浓缩液浸溃增强材料制成的。5.如权利要求4所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述聚四氟乙烯浸溃片的厚度为0.05mm 0.5mm。6.如权利要求1所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述的绝缘增强层包括一张以上的环氧树脂半固化片；所述环氧树脂半固化片是由环氧胶黏剂浸溃增强材料制成的。7.如权利要求6所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述环氧树脂半固化片的厚度为0.3mm。8.如权利要求1所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述铜箔层的厚度为9 μ m 105 μ m。9.如权利要求2 7 任一项所述的复合基材高频覆铜箔板，其特征在于，所述的增强材料为玻璃纤维布、玻璃纤维无纺布或纤维纸。10.一种复合基材高频覆铜箔板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：常立荣，胡瑞平，梁康荣，
申请(专利权)人：金安国纪科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31