制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构（１）的方法，所述结构（１）包括衬底（１０）和通过将材料沉积在所述衬底（１０）的一个表面上而形成的层（２０），其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限定了所述衬底（１０），另一方面限定了剩余物；在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层（２０，２１）；分裂所述脆化衬底从而形成所述结构（１），其中衬底（１０）的一表面（ＩＢ）被沉积的材料层（２０）覆盖，而其另一表面（ＩＡ）暴露。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构的方法，该结构 包括衬底，以及通过将材料沉积在衬底的一面上而形成的层。
技术介绍
技术的发展显示，可以利用合适的技术，例如PECVD( “等离子增强化学气相沉积” 的首字母缩写)，来选择衬底的面以将薄层沉积在所选的面上。然而，这一过程很复杂，可能 弓丨入金属杂质，并且沉积层可能分层。采用非选择性技术使得在衬底的两面上都进行沉积。然后可以消除沉积在不希望 的表面上的层。为达此目的，可以将例如想要保存的层键合到其他材料上，从而保护该层， 然后进行刻蚀，从而消除位于非保护面上的层。然而，根据该层的性质(特别是，如果该层 为SiN，A1N或钻石)，撤销该层有时十分困难，而且相比于衬底的材料是非选择性的。也可以采用RIE刻蚀(“反应离子刻蚀”的首字母缩写)，其相关描述记载于 "Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 1 :ProcessTechnology，，(VLSI 时代的娃工 艺，第 1 卷，工艺技术)，作者是 StanleyWolf 和 Richard N. Taube, Lat本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构（１）的方法，所述结构（１）包括衬底（１０）和通过将材料沉积在所述衬底（１０）的一个表面上而形成的层（２０），其特征在于该方法包括以下步骤：－形成包括脆化区（１１）的脆化衬底（１２），该脆化区（１１）一方面限定了所述衬底（１０），另一方面限定了剩余物，－在所述脆化衬底（１２）的两个表面的每一个上沉积所述材料的层（２０，２１），－分裂所述脆化衬底（１２），从而形成所述结构（１），其中衬底（１０）的一表面（１Ｂ）被沉积的材料层（２０）覆盖，而其另一表面（１Ａ）暴露。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H阿比尔，R朗热，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]