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本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构（１）的方法，所述结构（１）包括衬底（１０）和通过将材料沉积在所述衬底（１０）的一个表面上而形成的层（２０），其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限...该专利属于Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司授权不得商用。
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本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构（１）的方法，所述结构（１）包括衬底（１０）和通过将材料沉积在所述衬底（１０）的一个表面上而形成的层（２０），其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限...