一种板式PECVD的特气管路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种板式PECVD的特气管路，包括与MFC连通的多根特气管，每根所述特气管上设置有面积相同的多个喷气孔，多根所述特气管至少设置有三种不同面积的喷气孔，硅烷和氨气可以实现至少三种不同的混合比，在硅片表面沉积出至少三层膜，提高硅片的转化效率，且并不需要额外增加MFC，成本低，还可以根据需要设计不同面积的喷气孔，调整方便。

Special gas pipeline for plate type PECVD

The utility model discloses a special gas pipeline plate PECVD, including multi gent trachea and MFC connected, each of the special pipe is provided with a plurality of jet holes of the same area, more of the special pipe is provided with at least three different jet hole area, silane and ammonia can be achieved at least three different mixing ratio, on the surface of the silicon wafer deposited at least three layers of film, improve the conversion efficiency of silicon wafers, and does not need additional MFC, low cost, can also jet holes need to design different area according to the convenient adjustment.

【技术实现步骤摘要】
一种板式PECVD的特气管路
本技术涉及太阳能电池制造的
，尤其涉及一种板式PECVD的特气管路。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片，目前绝大多数电池片都采用硅片制成。电池片在生产过程中，需要在硅片的表面镀上一层减反射膜。目前，采用等离子体增强化学气相沉积方法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)，使气体在硅电池片表面发生化学反应并形成覆盖层，即减反射膜。此减反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的体钝化和表面钝化，以及利用氮化硅薄膜的强致密性和耐多数酸碱性，在硅片表面形成保护层。电池片的PECVD工序一般通过PECVD机完成，PECVD机在石英管的两端通微波源，表面抽真空的条件下将氨气和硅烷分解成高能离子状态，经过一系列化学反应，在硅片表面沉积氮化硅固态薄膜，同时分解出来的氢离子，将硅片表面原有缺陷钝化。现有板式PECVD机的特气管路的结构如图1所示，包括两组特气管1′，每组包括三个特气管1′，所有的特气管1′上的均设置有直径一致的喷气孔11′，用于喷出硅烷或氨气，图1中的每组特气管路均连通一个用于控制硅烷的质量流量控制器(MFC)，与此特气管路相对应的还有连通有氨气的MFC的另两组特气管(图中未示出)，硅烷与氨气混合产生化学反应，并且在硅片的表面沉积出减反射膜，通过两个MFC分别控制两组特气管路里硅烷的流量，硅烷和氨气之间可以形成两种浓度混合比，从而沉积出两层膜。但是仅仅是两层膜并不利于降低反射率和提升H钝化(氢钝化)，因为要提升H钝化效果，就必须将低层的氮化硅折射率提升，折射率提升的同时虽然提升了H钝化作用，但同时也会提升低层膜的消光系数，增加了低层膜对光的吸收，因此，低层高折射率的膜的厚度要控制在15nm以内，这样才能在提升H钝化的同时，避免过度提升消光系数，但现有PECVD机的特气管路无法将低层的膜层厚度控制在15nm以内，而如果每根特气管1′都由单独的MFC来控制，会增加非常昂贵的费用。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种板式PECVD的特气管路，可以沉积形成至少三层膜，提高了电池片的转化效率，且成本低。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种板式PECVD的特气管路，包括与MFC连通的多根特气管，每根所述特气管上设置有面积相同的多个喷气孔，多根所述特气管至少设置有三种不同面积的喷气孔。其中，多根所述特气管沿待镀膜硅片的流动方向布置；所述特气管内通硅烷，多根所述特气管上的喷气孔的面积沿所述待镀膜硅片的流动方向逐渐变小；或所述特气管内通氨气，多根所述特气管上的喷气孔的面积沿所述待镀膜硅片的流动方向逐渐变大。其中，所述喷气孔包括第一喷气孔，还包括第二喷气孔、第三喷气孔、第四喷气孔、第五喷气孔和第六喷气孔中的至少两种，其中，第一喷气孔的直径为1.6mm-1.8mm，第二喷气孔的直径为1.3mm-1.6mm，所述第三喷气孔的直径为1.0mm-1.3mm，所述第四喷气孔的直径为0.8mm～0.9mm，所述第五喷气孔的直径为0.6mm～0.8mm，所述第六喷气孔的直径为0.4mm～0.6mm。其中，第一喷气孔的直径为1.8mm。其中，第二喷气孔的直径为1.5mm。其中，第三喷气孔的直径为1.2mm。其中，第四喷气孔的直径为0.8mm。其中，第五喷气孔的直径为0.6mm。其中，第六喷气孔的直径为0.4mm。其中，包括六根所述特气管，六根所述特气管分成两组，每组所述特气管单独与一个MFC连通。有益效果：本技术提供了一种板式PECVD的特气管路，包括与MFC连通的多根特气管，每根所述特气管上设置有面积相同的多个喷气孔，多根所述特气管至少设置有三种不同面积的喷气孔，硅烷和氨气可以实现至少三种不同的混合比，在硅片表面沉积出至少三层膜，提高硅片的转化效率，且并不需要额外增加MFC，成本低，还可以根据需要设计不同面积的喷气孔，调整方便。附图说明图1是现有技术的板式PECVD的特气管路的结构示意图。图2是本技术的实施例1提供的板式PECVD的特气管路的结构示意图。其中：1-特气管，11-喷气孔，111-第一喷气孔，112-第二喷气孔，113-第三喷气孔，114-第四喷气孔，115-第五喷气孔，116-第六喷气孔，1′-特气管，11′-喷气孔。具体实施方式为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。实施例1如图2所示，本实施例提供了一种板式PECVD的特气管路，包括与MFC连通的多根特气管1，每根特气管1上设置有面积相同的多个喷气孔11，本实施例一共包括6根特气管1，对应设置有6种不同面积的喷气孔11。通过设置6种不同面积的喷气孔11，从6根特气管1中喷出的气体的流量不一致，从而可以产生6种浓度混合比，在硅片的表面沉积出6层膜，与现有技术只能沉积2层膜相比，6层膜可以提高硅片的转化效率，且只需要在不同的特气管1上通过开设出不同面积的喷气孔11即可获得不同的混合浓度比，与现有技术的特气管道相比，不需要额外增加MFC机，成本低。还可以根据实际需求调整喷气孔11的大小，调整方便。每根特气管1上的喷气孔11的面积相同，利于每根特气管1喷出的气体浓度均匀，保证此浓度比的等离子体在硅片的表面沉积出均匀的膜。特气管1的数量并不限于6根，但是应该至少设置三根特气管1，并且多根特气管1上的喷气孔11的面积至少为三个不同的值，以通过不同的流量形成至少三种混合浓度比，从而获得至少三层膜，与2层膜的现有的PEVCD相比，具有更高的效率。在沉积成膜的过程中，混合浓度渐变的膜可以更好地提高硅片的转化效率，且更好降低反射率和提升H钝化，因此，可以将多根特气管1沿待镀膜硅片的流动方向布置，且本实施例的特气管1内通硅烷，多根特气管1上的喷气孔11的面积沿待镀膜硅片的流动方向逐渐变小，即位于沉积出的最底部的膜的气体组成中，硅烷与氨气的浓度比最高，之后浓度比逐渐降低，形成浓度渐变的镀膜，这种浓度比逐渐降低的镀膜可以更好的提高硅片的转化效率。本实施中，喷气孔11包括第一喷气孔111，还包括第二喷气孔112、第三喷气孔113、第四喷气孔114、第五喷气孔115和第六喷气孔116中的至少两种，其中，第一喷气孔111的直径为1.6mm-1.8mm，第二喷气孔112的直径为1.3mm-1.6mm，第三喷气孔113的直径为1.0mm-1.3mm，第四喷气孔114的直径为0.8mm-0.9mm，第五喷气孔115的直径为0.6mm-0.8mm，第六喷气孔116的直径为0.4mm-0.6mm。即：在设置第一喷气孔111的基础上，可以随意组合后续五种中的多种喷气孔，形成多种技术方案，如，以设置有6根特气管1为例，可以每根特气管1分别设置第一喷气孔111到第六喷气孔116，也可以在某些特气管设置第一喷气孔111，一些特气管设置第二喷气孔112，其他设置第三喷气孔113，或者是第一喷气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种板式PECVD的特气管路，其特征在于，包括与MFC连通的多根特气管(1)，每根所述特气管(1)上设置有面积相同的多个喷气孔(11)，多根所述特气管(1)至少设置有三种不同面积的所述喷气孔(11)。

【技术特征摘要】
1.一种板式PECVD的特气管路，其特征在于，包括与MFC连通的多根特气管(1)，每根所述特气管(1)上设置有面积相同的多个喷气孔(11)，多根所述特气管(1)至少设置有三种不同面积的所述喷气孔(11)。2.如权利要求1所述的板式PECVD的特气管路，其特征在于，多根所述特气管(1)沿待镀膜硅片的流动方向布置；所述特气管(1)内通硅烷，多根所述特气管(1)上的所述喷气孔(11)的面积沿所述待镀膜硅片的流动方向逐渐变小；或所述特气管(1)内通氨气，多根所述特气管(1)上的所述喷气孔(11)的面积沿所述待镀膜硅片的流动方向逐渐变大。3.如权利要求2所述的板式PECVD的特气管路，其特征在于，所述喷气孔(11)包括第一喷气孔(111)，所述第一喷气孔(111)的直径为1.6mm-1.8mm；所述喷气孔(11)还包括第二喷气孔(112)、第三喷气孔(113)、第四喷气孔(114)、第五喷气孔(115)和第六喷气孔(116)中的至少两种，其中，第二喷气孔(112)的直径为1.3mm-1.6mm，所述第三喷气孔(113)的直径为1.0mm-1....

【专利技术属性】
技术研发人员：袁中存，党继东，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32