一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置制造方法及图纸
A device for improving the application of high resistance nitrogen in magnetron sputtering of precision metal film resistor
The utility model discloses a method for improving precision metal film resistors by magnetron sputtering and high resistance of nitrogen applying amount of device comprises a vacuum chamber, the vacuum chamber is arranged inside the target and the substrate, the vacuum chamber filled with nitrogen, wherein the outer side of the basal body is provided with a film, the utility model uses nitrogen as the reaction gas, the formation of the nitride coatings and target Gr and Si atom reaction, resistivity of oxide film than oxygen as reaction gas to form higher than the same resistance, the nitride coatings oxide film thickness and heat treatment of nitride film oxide film is more stable, the crystallization temperature is obvious changes in resistance to high temperature obviously usually, more than 100 DEG C.
【技术实现步骤摘要】
一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置
本技术涉及电阻器领域，特别涉及一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置。
技术介绍
目前国内很多精密金属膜电阻器磁控溅射制膜厂家采用氧气作为反应气体，也有部分采用氮气作为反应气体，但充气量大多在2%或以下，难于突破2%的限制；实际生产中发现，氧气作为反应气体生产的被膜棒阻值集中度、电性能、温度系数等参数均不太理想，尤其是在正温条件及负温条件下测量的温度系数差异较大，致电阻器实现低温度系数的要求存在很大的困扰，而充氮气作为反应气体较用氧气作为反应气体获得被膜棒的阻值集中度、电性能、温度系数等参数有所改善，被膜棒相关电气参数改善水平与氮气施加量密切相关。因此，专利技术一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置，包括真空室，所述真空室内部设有靶材与基体，所述真空室内部填...
【技术保护点】
一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置，包括真空室（1），其特征在于：所述真空室（1）内部设有靶材（2）与基体（3），所述真空室（1）内部填充有氮气（4），所述基体（3）外侧设有膜（5）。
【技术特征摘要】
1.一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置，包括真空室（1），其特征在于：所述真空室（1）内部设有靶材（2）与基体（3），所述真空室（1）内部填充有氮气（4），所述基体（3）外侧设有膜（5）。2.根据权利要求1所述的一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置，其特征在于：所述靶材（2）设置为中高阻靶材。3.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈平刚，周荣林，袁海兵，蒋进鹏，
申请(专利权)人：南京先正电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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