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本实用新型公开了一种提高精密金属膜电阻器磁控溅射中高阻氮气施加量装置，包括真空室，所述真空室内部设有靶材与基体，所述真空室内部填充有氮气，所述基体外侧设有膜，本实用新型通过将氮气作为反应气体，与靶材中的Gr、Si等原子反应形成氮化物膜层，比...
该专利属于南京先正电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京先正电子股份有限公司授权不得商用。

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