掩膜版、存储器及存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种掩膜版、存储器及存储器的制造方法，掩膜版包括沿着第一方向延伸的第一线形图案及沿着第二方向延伸的第二线形图案，由此在掩膜版之间的套准时，可以在第一方向和第二方向两个方向上进行套准，从而提高了套准精度。进一步的，掩膜版能够用来形成存储节点接触和电容器，即存储器制造中，两个相连接的结构能够用图案相同的掩膜版制造，由此可以进一步的提高前后两个步骤中掩膜版的套准精度，从而也提高了所形成的存储器的质量和可靠性。

Manufacturing methods of mask, memory and memory

【技术实现步骤摘要】
掩膜版、存储器及存储器的制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种掩膜版、存储器及存储器的制造方法。
技术介绍
在半导体制造领域，光刻技术被用来将图案从掩膜版上转移到衬底上，其中的掩膜版(mask)，也称为光刻版、掩膜板或者光罩，是一种对于曝光光线具有透光性的平板，其上具有对于曝光光线具有遮光性的设计图案，可实现有选择的遮挡照射到衬底表面光刻胶层或者掩膜层上的光，并最终在衬底表面的光刻胶层或者掩膜层上形成相应的图案。存储器制造是半导体制造领域中非常重要的一块。存储器中通常包括电容器及晶体管，其中，所述电容器用以存储数据，所述晶体管用以控制对所述电容器中存储的数据的存取。具体的，所述存储器的字线(wordline)电连接至所述晶体管的栅极，所述字线控制所述晶体管的开关；并且，所述晶体管的源极电连接至位线结构(bitline)，以形成电流传输通路；同时，所述晶体管的漏极电连接至所述电容器，以达到数据存储或输出的目的。其中，所述晶体管的漏极通常通过存储节点接触实现与所述电容器的电连接，所述存储节点接触之间通过位于所述存储节点接触之间的节点隔离结构予以隔离。在存储器的制造中，会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：一基板，所述基板上具有多个第一线形图案和多个第二线形图案；其中，所述第一线形图案的形状呈波浪线形并沿着第一方向延伸，所述第二线形图案沿着第二方向延伸，所述第二线形图案和所述第一线形图案的相交处构成交叉点，所述交叉点对准呈波浪线形的所述第一线形图案的峰点或谷点，并且对准于所述交叉点的所述峰点或所述谷点的形状呈弧形。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：一基板，所述基板上具有多个第一线形图案和多个第二线形图案；其中，所述第一线形图案的形状呈波浪线形并沿着第一方向延伸，所述第二线形图案沿着第二方向延伸，所述第二线形图案和所述第一线形图案的相交处构成交叉点，所述交叉点对准呈波浪线形的所述第一线形图案的峰点或谷点，并且对准于所述交叉点的所述峰点或所述谷点的形状呈弧形。2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点和所述谷点的形状呈弧形，同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在所述第一方向上呈一直线行排列且同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在所述第一方向上呈另一直线行排列。3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈一直线列排列，且多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈另一直线列排列。4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二线形图案为直线形图案。5.如权利要求1～4中任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图案用于定义出一存储器中的存储节点接触，其中，所述存储节点接触对应所述交叉点。6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图案还用于定义出所述存储器中与所述存储节点接触连接的电容器，其中，所述电容器对应所述交叉点。7.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：提供第一掩膜版，所述第一掩膜版的结构包括如权利要求1～4中任一项所述的掩膜版，以定义出一存储器中的存储节点接触，其中，所述存储节点接触对应所述交叉点；及形成所述存储节点接触于一衬底上。8.如权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述存储节点接触之前，所述存储器的制造方法还包括：提供所述衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述衬底上形成有多根沿第一方向延伸的位线结构及多根沿第二方向延伸的隔离线，所述位线结构包括位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层，所述位线结构和所述隔离线在所述衬底上相交并界定出多个接触窗，且所述有源区中的一个漏极对准一个所述接触窗；及形成一连接材料层于所述衬底上，所述连接材料层填充所述接触窗，并覆盖所述位线结构及所述隔离线，所述连接材料层与所述漏极电连接。9.如权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述存储节点接触的步骤包括：覆盖一第一光刻胶层于所述连接材料层上；利用所述第一掩膜版对所述第一光刻胶层执行光刻工艺，保留所述第一光刻胶层中对应所述第一掩膜版的所述交叉点的部分，以形成一具有第一光刻开口的第一图案化光刻胶层，所述第一光刻开口暴露出部分所述连接材料层，并且所述第一光刻开口在所述衬底上的投影与所述接触窗的部分、所述位线结构部分及所述隔离线重叠；以所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34