一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法。本发明专利技术的工艺步骤中，通过化学抛光和热处理吸杂处理衬底硅片以降低衬底硅片表面缺陷及体内缺陷，通过一次退火处理得到10‑50um的近表面清洁区，达到减小漏电流的作用；通过退火处理使得电压降低一倍，因为电压越高，漏电越大，所以通过退火能够明显降低电压减小漏电流；通过本发明专利技术技术方案制造的瞬态电压抑制二极管芯片，其漏电流可以降低至l0uA以下。

A manufacturing method for transient voltage suppression diode chip

The invention relates to a manufacturing method of a transient voltage suppression diode chip. The process steps of the invention, the gettering treatment the silicon substrate to reduce surface defects and defects in the silicon substrate by chemical polishing and heat treatment, through an annealing treatment of 10 50um near the surface of the cleaning zone, Jian Xiaolou reached the current effect; the voltage reduced by annealing times, because the higher the voltage, leakage the more so, by annealing can obviously reduce the voltage to reduce leakage current; transient voltage produced by the technical scheme of the invention diode chip, the leakage current can be reduced to below l0uA.

【技术实现步骤摘要】
一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法
本专利技术涉及一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法。
技术介绍
现有的瞬态电压抑制二极管具有以下缺陷：（1）普通低压瞬态抑制二极管要减小漏电流，就要在满足功率的情况下减小芯片面积，台面瞬态抑制二极管，因为存在沟槽，产品面积较大，随着面积的增大反向漏电流也随着增大；（2）普通平面低压瞬态抑制PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于7V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于7V时的击穿以雪崩击穿为主，击穿电压>l0V的TVS主要击穿模式为雪崩击穿，反向漏电流IR<lmA,随击穿电压的降低，击穿模式逐步向齐纳击穿转变，其反向漏电流也会急剧增加，击穿电压在<7V时，IR通常会在lmA左右，其工作能耗较大，并严重影响工作电路的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的问题提供一种有效降低反向漏电流的低电压低漏电平面瞬态抑制二极管芯片的制造方法。本专利技术的具体技术方案如下：一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，包括以下步骤：a、选用0.001-0.014Ω·cm的N型晶向单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a、选用0.001‑0.014Ω·cm的N型晶向单晶硅衬底硅片，对衬底硅片一次清洗；b、对完成步骤a的衬底硅片依次进行化学抛光、热处理吸杂和衬底硅片二次清洗；c、对完成步骤b的衬底硅片依次进行初始氧化、基区光刻、硼扩散处理、一次退火处理、引线孔光刻、衬底硅片Al金属蒸发、正面金属光刻和二次退火处理；d、对完成步骤d的衬底硅片采用HF：H2O=1:10的清洗液清洗120±10s，超声波清洗1‑2min，再采用HF：H2O=1:10的清洗液清洗20±2s；e、对完成步骤d的衬底硅片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发；f、...

【技术特征摘要】
1.一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a、选用0.001-0.014Ω·cm的N型晶向单晶硅衬底硅片，对衬底硅片一次清洗；b、对完成步骤a的衬底硅片依次进行化学抛光、热处理吸杂和衬底硅片二次清洗；c、对完成步骤b的衬底硅片依次进行初始氧化、基区光刻、硼扩散处理、一次退火处理、引线孔光刻、衬底硅片Al金属蒸发、正面金属光刻和二次退火处理；d、对完成步骤d的衬底硅片采用HF：H2O=1:10的清洗液清洗120±10s，超声波清洗1-2min，再采用HF：H2O=1:10的清洗液清洗20±2s；e、对完成步骤d的衬底硅片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发；f、对完成步骤e的衬底硅片依次进行正面金属光刻、正面金属腐蚀、正面金属去胶和正面金属合金；g、对完成正面金属合金的衬底硅片进行电性测试、减薄、背面去应力腐蚀，划片入库。2.如权利要求1所述一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤b中化学抛光的具体步骤为：衬底硅片采用HNO3：HF：CH3COOH：H2O=5：1：3：20的化学腐蚀液在12-18℃腐蚀10±1min，清洗干净甩干。3.如权利要求1所述一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤b中热处理吸杂的具体步骤为：衬底硅片采用NH3H2O:H2O2:H2O=1:1:5的清洗液和HCL:H2O2:H2O=1:1:5的清洗液在75±5℃各清洗10min，使用清水冲水10±1min，甩干；将清洗干净的衬底硅片放入石英舟，舟速20±1cm/s进舟至石英炉管内并盖好磨口，在750±3℃向石英炉管内通入氮气30±1min，氮气通入量6±1L/mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：程秀芹，范志为，张志向，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：甘肃,62