【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种二极管及瞬态电压抑制器。
技术介绍
瞬态电压抑制器与被保护的集成电路并联，在集成电路正常工作的时候，瞬态电压抑制器并不工作。只有在集成电路受到静电、浪涌等瞬态高压冲击时，瞬态电压抑制器才会瞬间启动，把瞬态高压降到较低的电压，从而保护了集成电路。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种二极管及瞬态电压抑制器，其可以解决现有技术中的上述缺点。本技术采用以下技术方案：一种二极管，包括芯片、上下钉头无氧铜导线、焊接层、非空腔塑封体组成，所述芯片台面周围设置有一次性涂覆电子纯聚酰亚胺胶层，所述涂覆电子纯聚酰亚胺胶层的芯片二次再涂覆有电子纯硅橡胶层；所述芯片位于上下钉头无氧铜导线之间，所述上下钉头无氧铜导线的上下钉头与芯片通过焊接层连接；所述上下钉头、焊接层、芯片模塑封装在塑封体内，所述芯片包括硅基片，其中，该硅基片包含有N型衬底和P型扩散层，N型衬底和P型扩散层之间形成PN结，所述硅基片的上表面上进一步设有沟道，沟道将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台，PN结暴露在沟道的侧壁上，沟道的底部和侧壁上均覆盖有钝化层。所述电子纯聚酰亚胺胶层厚度1-2um；所述电子纯硅橡胶层厚度为0.5-0.7mm。所述钝化层为CVD膜。凸台的上表面和硅基片的下表面上均设有金属导电层。一种瞬态电压抑制器，包括上述的二极管。本技术的优点是：可以提高切割速度，又可以防止芯片短路，并有利于装配，提高了芯片的耐压性、可靠性及电性能。附图说明下面结合实施例和附图对本技术进行详细说明，其中：图1是本技术的结构示意图。图2是本技术的电源模块电路的电路图。具体实施方式下面结合附图进一步阐述本技术的...
【技术保护点】
一种二极管，其特征在于，包括芯片、上下钉头无氧铜导线、焊接层、非空腔塑封体组成，所述芯片台面周围设置有一次性涂覆电子纯聚酰亚胺胶层，所述涂覆电子纯聚酰亚胺胶层的芯片二次再涂覆有电子纯硅橡胶层；所述芯片位于上下钉头无氧铜导线之间，所述上下钉头无氧铜导线的上下钉头与芯片通过焊接层连接；所述上下钉头、焊接层、芯片模塑封装在塑封体内，所述芯片包括硅基片，其中，该硅基片包含有N型衬底和P型扩散层，N型衬底和P型扩散层之间形成PN结，所述硅基片的上表面上进一步设有沟道，沟道将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台，PN结暴露在沟道的侧壁上，沟道的底部和侧壁上均覆盖有钝化层。
【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，包括芯片、上下钉头无氧铜导线、焊接层、非空腔塑封体组成，所述芯片台面周围设置有一次性涂覆电子纯聚酰亚胺胶层，所述涂覆电子纯聚酰亚胺胶层的芯片二次再涂覆有电子纯硅橡胶层；所述芯片位于上下钉头无氧铜导线之间，所述上下钉头无氧铜导线的上下钉头与芯片通过焊接层连接；所述上下钉头、焊接层、芯片模塑封装在塑封体内，所述芯片包括硅基片，其中，该硅基片包含有N型衬底和P型扩散层，N型衬底和P型扩散层之间形成PN结，所述硅基片的上表面上进一步设有沟道，沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐芳芳，
申请(专利权)人：上海智晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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