一种低残压半导体保护芯片制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，具体涉及一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体，其特征在于：芯片主体两侧设有第一针脚、第二针脚、第三针脚和第四针脚，芯片主体包括芯片壳体和电路板，电路板设有自恢复保险丝，自恢复保险丝一端电连接有气体放电管、第一瞬态抑制二极管和电感，电感电连接有电容，电容电连接有负载输入端，气体放电管和第一瞬态抑制二极管电连接有第一发光管，第一发光管和负载输出端均电连接有零线N，零线N电连接有第二瞬态抑制二极管，第二瞬态抑制二极管电连接有第二发光管，第二发光管电连接有地线PE。本实用新型专利技术旨在提供一种低残压半导体保护芯片，分级保护电气元件，使电气元件免受外界的干扰而受损。

【技术实现步骤摘要】
一种低残压半导体保护芯片
本技术属于半导体
，具体涉及一种低残压半导体保护芯片。
技术介绍
现在电器设备已成为人类活动必不可少的部分，如计算机系统、通讯设备、汽车、家用电器等。而这些设备中都存在核心的电气元件，如控制芯片等，这些电气元件十分精密，极易受到外界的干扰而损坏。当电气回路或者通信线路中因为外界的干扰突然产生尖峰电流或者电压时，安装防雷保护器的设备可以在极短的时间内导通分流，从而避免浪涌对回路中其他设备的损害。现有的低残压保护元件有放电间隙、气体放电管、压敏电阻和瞬态抑制二极管等。但是瞬态抑制二极管响应快但耐浪涌冲击力相对较差，而压敏电阻恢复能力较差，这样对电气元件的保护都存在一定的缺陷。
技术实现思路
本技术的目的是：旨在提供一种低残压半导体保护芯片，分级保护电气元件，使电气元件免受外界的干扰而受损。为实现上述技术目的，本技术采用的技术方案如下：一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体，所述芯片主体两侧设有第一针脚、第二针脚、第三针脚和第四针脚，所述芯片主体包括芯片壳体和电路板，所述电路板设有自恢复保险丝，所述自恢复保险丝一端电连接有火线L，所述自恢复保险丝另一端电连接有气体放电管、第一瞬态抑制二极管和电感，所述电感电连接有电容，所述电容电连接有负载输入端，所述气体放电管和第一瞬态抑制二极管电连接有第一发光管，所述第一发光管和负载输出端均电连接有零线N，所述零线N电连接有第二瞬态抑制二极管，所述第二瞬态抑制二极管电连接有第二发光管，所述第二发光管电连接有地线PE。采用本技术技术方案，当电气回路或者通信线路中因为外界的干扰突然产生尖峰电流或者电压时，由于瞬态抑制二极管的响应速度为10的负12次方秒量级，而电感有相位的延时，第一瞬态抑制二极管先于高电压加载于负载之前，将两极间的电压箝位于一个负载能承受的预定值，从而保护负载免受损伤，并将强电流直接导入零线N，第二瞬态抑制二极管同时相应，将强电流导入地线PE中，之后气体放电管被强电压击穿维持导电状态，替代第一瞬态抑制二极管工作，而第一瞬态抑制二极管继续将气体放电管遗留的惨压导入零线N，电感还能与电容一起滤波，将第一瞬态抑制二极管的残电流直接过滤，当强电压持续时间过长，自恢复保险丝响应断开电路，保护保护芯片和负载，这样，本技术分级保护电气元件，使电气元件免受外界的干扰而受损，而第一发光管和第二发光管只有强电流流过使才会发光，因此当第一发光管或第二发光管持续发光，则说明保护芯片以损坏，提醒用户更换保护芯片。进一步限定，所述芯片壳体上表面设有防呆口，这样，可以清楚分辨针脚，避免误操作，接错线路，损坏设备。进一步限定，所述芯片壳体上表面设有透明玻璃片，这样，第一发光管和第二发光管发出的光可以透过透明玻璃片显现，使用户可以直接确认保护芯片是否损坏。进一步限定，所述芯片壳体上表面设有芯片型号，这样可以清楚的知道芯片的型号，选用合适性能的芯片。进一步限定，所述第一针脚与火线L电连接，这样，确实第一针脚连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。进一步限定，所述第二针脚与零线N和负载输出端电连接，这样，确实第二针脚连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。进一步限定，所述第三针脚与负载输入端电连接，这样，确实第三针脚连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。进一步限定，所述第四针脚连接地线PE，这样，确实第四针脚连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。附图说明本技术可以通过附图给出的非限定性实施例进一步说明；图1为本技术实施例一种低残压半导体保护芯片的电气结构示意图；图2为本技术实施例一种低残压半导体保护芯片的结构示意图主要元件符号说明如下：芯片主体1、第一针脚2、第二针脚3、第三针脚4、第四针脚5、防呆口6、芯片型号7、电路板8、自恢复保险丝81、气体放电管82、第一瞬态抑制二极管83、电感84、电容85、第二瞬态抑制二极管86、第二发光管87、第一发光管88、透明玻璃片9。具体实施方式为了使本领域的技术人员可以更好地理解本技术，下面结合附图和实施例对本技术技术方案进一步说明。如图1、图2所示，本技术的一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体1，芯片主体1两侧设有第一针脚2、第二针脚3、第三针脚4和第四针脚5，芯片主体1包括芯片壳体和电路板8，电路板8设有自恢复保险丝81，自恢复保险丝81一端电连接有火线L，自恢复保险丝81另一端电连接有气体放电管82、第一瞬态抑制二极管83和电感84，电感84电连接有电容85，电容85电连接有负载输入端，气体放电管82和第一瞬态抑制二极管83电连接有第一发光管88，第一发光管88和负载输出端均电连接有零线N，零线N电连接有第二瞬态抑制二极管86，第二瞬态抑制二极管86电连接有第二发光管87，第二发光管87电连接有地线PE。采用本技术技术方案，当电气回路或者通信线路中因为外界的干扰突然产生尖峰电流或者电压时，由于瞬态抑制二极管的响应速度为10的负12次方秒量级，而电感84有相位的延时，第一瞬态抑制二极管83先于高电压加载于负载之前，将两极间的电压箝位于一个负载能承受的预定值，从而保护负载免受损伤，并将强电流直接导入零线N，第二瞬态抑制二极管86同时相应，将强电流导入地线PE中，之后气体放电管82被强电压击穿维持导电状态，替代第一瞬态抑制二极管83工作，而第一瞬态抑制二极管83继续将气体放电管82遗留的惨压导入零线N，电感84还能与电容85一起滤波，将第一瞬态抑制二极管83的残电流直接过滤，当强电压持续时间过长，自恢复保险丝81响应断开电路，保护保护芯片和负载，这样，本技术分级保护电气元件，使电气元件免受外界的干扰而受损，而第一发光管88和第二发光管87只有强电流流过使才会发光，因此当第一发光管88或第二发光管87持续发光，则说明保护芯片以损坏，提醒用户更换保护芯片。优选芯片壳体上表面设有防呆口6，这样，可以清楚分辨针脚，避免误操作，接错线路，损坏设备。实际上，也可以根据具体情况考虑使用其他结构方式，清楚分辨针脚。优选芯片壳体上表面设有透明玻璃片9，这样，第一发光管88和第二发光管87发出的光可以透过透明玻璃片9显现，使用户可以直接确认保护芯片是否损坏。实际上，也可以根据具体情况考虑使用其他透明材料，使第一发光管88和第二发光管87发光可见。优选芯片壳体上表面设有芯片型号7，这样可以清楚的知道芯片的型号，选用合适性能的芯片。实际上，也可以根据具体情况考虑芯片图案的大小，使更清楚的分辨芯片型号。优选第一针脚2与火线L电连接，这样，确实第一针脚2连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。实际上，也可以根据具体情况考虑第一针脚2的连接线路。优选第二针脚3与零线N和负载输出端电连接，这样，确实第二针脚3连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。实际上，也可以根据具体情况考虑第二针脚3的连接线路。优选第三针脚4与负载输入端电连接，这样，确实第三针脚4连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。实际上，也可以根据具体情况考虑第三针脚4的连接线路。优选第四针脚5连接地线PE，这样，确实第四针脚5连接线路，避免因接错针脚，而损坏设备。实际上，也可以根据具体情况考虑第四针脚5的连接线路。上述实施例仅示例性说明本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体(1)，其特征在于：所述芯片主体(1)两侧设有第一针脚(2)、第二针脚(3)、第三针脚(4)和第四针脚(5)，所述芯片主体(1)包括芯片壳体和电路板(8)，所述电路板(8)设有自恢复保险丝(81)，所述自恢复保险丝(81)一端电连接有火线L，所述自恢复保险丝(81)另一端电连接有气体放电管(82)、第一瞬态抑制二极管(83)和电感(84)，所述电感(84)电连接有电容(85)，所述电容(85)电连接有负载输入端，所述气体放电管(82)和第一瞬态抑制二极管(83)电连接有第一发光管(88)，所述第一发光管(88)和负载输出端均电连接有零线N，所述零线N电连接有第二瞬态抑制二极管(86)，所述第二瞬态抑制二极管(86)电连接有第二发光管(87)，所述第二发光管(87)电连接有地线PE。

【技术特征摘要】
1.一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体(1)，其特征在于：所述芯片主体(1)两侧设有第一针脚(2)、第二针脚(3)、第三针脚(4)和第四针脚(5)，所述芯片主体(1)包括芯片壳体和电路板(8)，所述电路板(8)设有自恢复保险丝(81)，所述自恢复保险丝(81)一端电连接有火线L，所述自恢复保险丝(81)另一端电连接有气体放电管(82)、第一瞬态抑制二极管(83)和电感(84)，所述电感(84)电连接有电容(85)，所述电容(85)电连接有负载输入端，所述气体放电管(82)和第一瞬态抑制二极管(83)电连接有第一发光管(88)，所述第一发光管(88)和负载输出端均电连接有零线N，所述零线N电连接有第二瞬态抑制二极管(86)，所述第二瞬态抑制二极管(86)电连接有第二发光管(87)，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙志斌，宣雷，程红俊，龙航，
申请(专利权)人：上海智晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31