一种低残压半导体保护芯片制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，具体涉及一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体，其特征在于：芯片主体两侧设有第一针脚、第二针脚、第三针脚和第四针脚，芯片主体包括芯片壳体和电路板，电路板设有自恢复保险丝，自恢复保险丝一端电连接有气体放电管、第一瞬态抑制二极管和电感，电感电连接有电容，电容电连接有负载输入端，气体放电管和第一瞬态抑制二极管电连接有第一发光管，第一发光管和负载输出端均电连接有零线N，零线N电连接有第二瞬态抑制二极管，第二瞬态抑制二极管电连接有第二发光管，第二发光管电连接有地线PE。本实用新型专利技术旨在提供一种低残压半导体保护芯片，分级保护电气元件，使电气元件免受外界的干扰而受损。

【技术实现步骤摘要】
一种低残压半导体保护芯片
本技术属于半导体
，具体涉及一种低残压半导体保护芯片。
技术介绍
现在电器设备已成为人类活动必不可少的部分，如计算机系统、通讯设备、汽车、家用电器等。而这些设备中都存在核心的电气元件，如控制芯片等，这些电气元件十分精密，极易受到外界的干扰而损坏。当电气回路或者通信线路中因为外界的干扰突然产生尖峰电流或者电压时，安装防雷保护器的设备可以在极短的时间内导通分流，从而避免浪涌对回路中其他设备的损害。现有的低残压保护元件有放电间隙、气体放电管、压敏电阻和瞬态抑制二极管等。但是瞬态抑制二极管响应快但耐浪涌冲击力相对较差，而压敏电阻恢复能力较差，这样对电气元件的保护都存在一定的缺陷。
技术实现思路
本技术的目的是：旨在提供一种低残压半导体保护芯片，分级保护电气元件，使电气元件免受外界的干扰而受损。为实现上述技术目的，本技术采用的技术方案如下：一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体，所述芯片主体两侧设有第一针脚、第二针脚、第三针脚和第四针脚，所述芯片主体包括芯片壳体和电路板，所述电路板设有自恢复保险丝，所述自恢复保险丝一端电连接有火线L，所述自恢复保险丝另一端电连接有气体放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体(1)，其特征在于：所述芯片主体(1)两侧设有第一针脚(2)、第二针脚(3)、第三针脚(4)和第四针脚(5)，所述芯片主体(1)包括芯片壳体和电路板(8)，所述电路板(8)设有自恢复保险丝(81)，所述自恢复保险丝(81)一端电连接有火线L，所述自恢复保险丝(81)另一端电连接有气体放电管(82)、第一瞬态抑制二极管(83)和电感(84)，所述电感(84)电连接有电容(85)，所述电容(85)电连接有负载输入端，所述气体放电管(82)和第一瞬态抑制二极管(83)电连接有第一发光管(88)，所述第一发光管(88)和负载输出端均电连接有零线N，所述零线N电...

【技术特征摘要】
1.一种低残压半导体保护芯片，包括芯片主体(1)，其特征在于：所述芯片主体(1)两侧设有第一针脚(2)、第二针脚(3)、第三针脚(4)和第四针脚(5)，所述芯片主体(1)包括芯片壳体和电路板(8)，所述电路板(8)设有自恢复保险丝(81)，所述自恢复保险丝(81)一端电连接有火线L，所述自恢复保险丝(81)另一端电连接有气体放电管(82)、第一瞬态抑制二极管(83)和电感(84)，所述电感(84)电连接有电容(85)，所述电容(85)电连接有负载输入端，所述气体放电管(82)和第一瞬态抑制二极管(83)电连接有第一发光管(88)，所述第一发光管(88)和负载输出端均电连接有零线N，所述零线N电连接有第二瞬态抑制二极管(86)，所述第二瞬态抑制二极管(86)电连接有第二发光管(87)，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙志斌，宣雷，程红俊，龙航，
申请(专利权)人：上海智晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31