低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法技术
Fabrication methods of low temperature polysilicon thin films and transistors
The invention provides a manufacturing method of low-temperature polycrystalline silicon thin film includes forming a buffer layer on a substrate; forming a first silicon layer on the buffer layer; forming a second silicon layer on the first silicon layer, and forming a barrier interface substrate impurity on the first silicon layer and the the second silicon layer, wherein the second thick silicon layer on the first silicon layer; and the first silicon layer and the second silicon layer is annealed to form a polysilicon layer.
【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法
本申请关于一种硅薄膜及晶体管的制造方法，特别关于一种低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法。
技术介绍
平面显示装置已经广泛的被运用在各种领域，液晶显示装置因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如行动电话、可携式多媒体装置、笔记型计算机、液晶电视及液晶屏幕等等。液晶显示装置包括显示面板等组件，有源矩阵型液晶显示面板是目前一般的显示面板，其包括有源矩阵衬底、对向衬底、以及夹设在这二衬底间的液晶层。有源矩阵衬底上具有多个行导线、列导线以及像素，像素中有像素驱动组件，像素驱动组件和行导线及列导线连接。一般的像素驱动组件是薄膜晶体管，行导线及列导线通常是金属导线。有源矩阵衬底的薄膜晶体管可分为传统的非晶硅薄膜晶体管以及导电能力较佳的低温多晶硅薄膜晶体管。低温多晶硅制程常采用准分子雷射退火技术，亦即利用准分子雷射作为热源，雷射光照设非晶硅薄膜使非晶硅再结晶，转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃衬底皆可适用。但雷射退火中，除了硅膜被加热外...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上；形成一第一硅层在所述缓冲层上；形成一第二硅层在所述第一硅层上，并形成一障碍衬底杂质界面在所述第一硅层及所述第二硅层间，其中所述第二硅层厚于所述第一硅层；以及对所述第一硅层及所述第二硅层进行退火以形成一多晶硅层。
【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上；形成一第一硅层在所述缓冲层上；形成一第二硅层在所述第一硅层上，并形成一障碍衬底杂质界面在所述第一硅层及所述第二硅层间，其中所述第二硅层厚于所述第一硅层；以及对所述第一硅层及所述第二硅层进行退火以形成一多晶硅层。2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一硅层以及所述第二硅层为不连续沉积，所述第一硅层与所述第二硅层间因不连续沉积产生的差排作为所述障碍衬底杂质界面。3.如权利要求1所述的制造方法，更包括：粗糙化所述第一硅层的表面以形成所述障碍衬底杂质界面，其中所述第二硅层及所述障碍衬底杂质界面形成在所述第一硅层的粗糙化表面，其中所述粗糙化表面的表面粗糙度介于5nm与30nm间。4.如权利要求3所述的制造方法，其中粗糙化所述第...
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