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本申请提出一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：形成一缓冲层在一衬底上；形成一第一硅层在所述缓冲层上；形成一第二硅层在所述第一硅层上，并形成一障碍衬底杂质界面在所述第一硅层及所述第二硅层间，其中所述第二硅层厚于所述第一硅层；以及对所述第一硅层...
该专利属于惠科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠科股份有限公司授权不得商用。

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