【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种驱动电路,尤其是涉及一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路。
技术介绍
对于大部分的IGBT来说,门极驱动电压一般是不允许超过20V的,普通的电阻分压后用普通18V稳压管做保护的方案只能适用于驱动电压较长时间维持在低频18V以上的情况下,但是对于工作时频率一般都在20KHZ以上的IGBT驱动波形来说,如果夹杂了大于20V的高频尖峰电压,普通稳压管会由于响应速度慢无法建立起稳压关系起不到保护作用,而且会受来自下管和地的串扰。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决上述问题,提供一种保护效果较佳的用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路,包括由二极管D3和二极管D4反相串联而成的第一保护电路以及由二极管D5和二极管D6反相串联而成的第二保护电路,所述第一保护电路一端与电阻R2一端连接,所述第一保护电路另一端与电阻R2另一端连接,所述电阻R2一端通过电阻R1接于变压器的接线脚1,所述电阻R2另一端接于变压器的接线脚2;所述第二保护电路一端与电阻R4一端连接,所述第二保护电路另一端与电阻R4另一端连接,所述电阻R4一端通过电阻R3接于变压器的接线脚3,另一端接于变压器的接线脚4;IGBT1的接线脚1接于第一保护电路的一端,IGBT1的接线脚2接于第一保护电路的另一端,IGBT1的接线脚3接于母线,IGBT2的接线脚1接于第二保护电路的一端,IGBT2的接线脚2接于第二保护电路的另一端,IGBT2的接线脚3接于第一保护电路的另一端,电阻R4的另一端接于GND。作为优选:所 ...
【技术保护点】
一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路,其特征在于,包括由二极管D3和二极管D4反相串联而成的第一保护电路以及由二极管D5和二极管D6反相串联而成的第二保护电路,所述第一保护电路一端与电阻R2一端连接,所述第一保护电路另一端与电阻R2另一端连接,所述电阻R2一端通过电阻R1接于变压器的接线脚1,所述电阻R2另一端接于变压器的接线脚2;所述第二保护电路一端与电阻R4一端连接,所述第二保护电路另一端与电阻R4另一端连接,所述电阻R4一端通过电阻R3接于变压器的接线脚3,另一端接于变压器的接线脚4;IGBT1的接线脚1接于第一保护电路的一端,IGBT1的接线脚2接于第一保护电路的另一端,IGBT1的接线脚3接于母线,IGBT2的接线脚1接于第二保护电路的一端,IGBT2的接线脚2接于第二保护电路的另一端,IGBT2的接线脚3接于第一保护电路的另一端,电阻R4的另一端接于GND。
【技术特征摘要】
1.一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路,其特征在于,包括由二极管D3和二极管D4反相串联而成的第一保护电路以及由二极管D5和二极管D6反相串联而成的第二保护电路,所述第一保护电路一端与电阻R2一端连接,所述第一保护电路另一端与电阻R2另一端连接,所述电阻R2一端通过电阻R1接于变压器的接线脚1,所述电阻R2另一端接于变压器的接线脚2;所述第二保护电路一端与电阻R4一端连接,所述第二保护电路另一端与电阻R4另一端连接,所述电阻R4一端通过电阻R3接于...
【专利技术属性】
技术研发人员:高新忠,甘嵩,冯祥远,冯子琪,李海龙,
申请(专利权)人:杭州信多达电器有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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