一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构制造技术

一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2、电容C1、电容C2，所述电阻RON1连接在IGBT1的门极，所述IGBT1的门极与发射极之间连接有电容C1，所述电阻RON1与IGBT1的门极连接，所述IGBT2的门极与发射极之间连接有电容C2，所述电阻RON2与IGBT2的门极连接，所述IGBT1的发射极连接IGBT2的集电极，所述IGBT2的发射极接地。与现有技术相比，本实用新型专利技术的解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，可有效地减少米勒效应，消除了电路中一个IGBT管导通瞬间通过寄生的米勒电容而对另一个管子的栅极电压的影响，电路结构简单，可实施性强。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半桥拓扑结构
，特别涉及一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构。
技术介绍
半桥拓扑结构中，IGBT1开通时，瞬间变化的dv/dt由于下面IGBT2寄生米勒电容Ccg的关系会在IGBT2的C极——Ccg——门极驱动电阻Ron之间产生一个电流，并在Ron上产生一个电压，有令IGBT2导通的风险；同理，在IGBT2导通瞬间，由于IGBT1的寄生米勒电容Cge也会在IGBT1的E极——Cge——Ron之间产生电流，并在Ron上产生电压，有令IGBT1导通的风险。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决上述问题，提供一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构。本技术的技术方案是这样实现的：一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2、电容C1、电容C2，所述电阻RON1连接在IGBT1的门极，所述IGBT1的门极与发射极之间连接有电容C1，所述电阻RON1与IGBT1的门极连接，所述所述IGBT2的门极与发射极之间连接有电容C2，所述电阻RON2与IGBT2的门极连接，所述IGBT1的发射极连接IGBT2的集电极，所述IGBT2的发射极接地。优选地，所述驱动结构还包括二极管D1、电阻R1，所述二极管D1与电阻R1串联，反并联在所述电阻RON1两端。优选地，所述驱动结构还包括二极管D2、电阻R2，所述二极管D2与电阻R2串联，反并联在所述电阻RON2两端。优选地，所述电容C1与电容C2的容量为10nF。与现有技术相比，本技术有以下有益效果：本技术的解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，可有效地减少米勒效应，消除了电路中一个IGBT管导通瞬间通过寄生的米勒电容而对另一个管子的栅极电压的影响，电路结构简单，可实施性强。附图说明图1为本技术实施例一的电路图；图2为本技术实施例二的电路图；图3为本技术实施例二的电路图；图4为本技术实施例二的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术进行清楚、完整地描述。如图1所示，实施例一，一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2、电容C1、电容C2，所述电阻RON1连接在IGBT1的门极，所述IGBT1的门极与发射极之间连接有电容C1，所述电阻RON1与IGBT1的门极连接，所述所述IGBT2的门极与发射极之间连接有电容C2，所述电阻RON2与IGBT2的门极连接，所述IGBT1的发射极连接IGBT2的集电极，所述IGBT2的发射极接地，所述电容C1或者C2可以滤去米勒效应产生的电流，从而可以实现消除电路中一个IGBT管导通瞬间通过寄生的米勒电容而对另一个管子的栅极电压的影响。如图2所示，实施例二，所述驱动结构还包括二极管D1、电阻R1，所述二极管D1与电阻R1串联，反并联在所述电阻RON1两端。如图3所示，实施例三，所述驱动结构还包括二极管D2、电阻R2，所述二极管D2与电阻R2串联，反并联在所述电阻RON2两端，如图4所示，实施例四，所述驱动结构还包括二极管D1、电阻R1，所述二极管D1与电阻R1串联，反并联在所述电阻RON1两端，所述驱动结构还包括二极管D2、电阻R2，所述二极管D2与电阻R2串联，反并联在所述电阻RON2两端。将肖特基二极管与小电阻串联之后反向并联在Ron的两端，使IGBT关断时的等效门极驱动电阻Roff大幅度减小，这样通过米勒电容流过来的电流在Roff上的电压就会大幅减小，不至于使另一个IGBT导通。其中，电阻大小排列是R/Ron<<Ron。而且并且在G-E端并联的10nF的电容还可以分掉一部分流过Roff的电流，这样就不至于使IGBT导通。综上本技术的结构与原理可知，本技术的解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，可有效地减少米勒效应，消除了电路中一个IGBT管导通瞬间通过寄生的米勒电容而对另一个管子的栅极电压的影响，电路结构简单，可实施性强。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，其特征在于，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2、电容C1、电容C2，所述电阻RON1连接在IGBT1的门极，所述IGBT1的门极与发射极之间连接有电容C1，所述电阻RON1与IGBT1的门极连接，所述IGBT2的门极与发射极之间连接有电容C2，所述电阻RON2与IGBT2的门极连接，所述IGBT1的发射极连接IGBT2的集电极，所述IGBT2的发射极接地。

【技术特征摘要】
1.一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，其特征在于，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2、电容C1、电容C2，所述电阻RON1连接在IGBT1的门极，所述IGBT1的门极与发射极之间连接有电容C1，所述电阻RON1与IGBT1的门极连接，所述IGBT2的门极与发射极之间连接有电容C2，所述电阻RON2与IGBT2的门极连接，所述IGBT1的发射极连接IGBT2的集电极，所述IGBT2的发射极接地。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：高新忠，甘嵩，冯祥远，冯子琪，李海龙，
申请(专利权)人：杭州信多达电器有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33