一种快速自驱动过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种快速自驱动过压保护电路，其包括电阻R1、瞬变电压抑制二极管D1、电容C1和可控硅Q1；可控硅Q1的负极与电容C1的一端和输出电压负端连接，可控硅Q1的正极与瞬变电压抑制二极管D1的负极和输出电压正端连接，可控硅Q1的控制极与电容C1的另一端和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与瞬变电压抑制二极管D1的正极连接；该快速自驱动过压保护电路在输出电压正常工作时，不进行工作，没有功率消耗，当检测到输出过压时，能够快速反应，保证输出电压被快速可靠的关断。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种保护电路，具体涉及一种快速自驱动过压保护电路。
技术介绍
目前，输出过压保护电路主要应用于串联开关型；然而，对现有技术中的过压保护电路而言，如果开关为电子开关，那么必然存在导通电阻，会导致过多的功率损耗，降低了整机效率，并且还需要额外进行电子开关的热设计，否则在高温下下会导致热击穿失效；如果开关为继电器，会受限于继电器体积庞大、不耐高振动和高冲击等条件，关断反应时间长、可靠性低，无法应用在机载、弹载、舰载等高可靠性平台。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种快速自驱动过压保护电路，以解决上述提到的功率损耗较多和可靠性低的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种快速自驱动过压保护电路，其包括电阻R1、瞬变电压抑制二极管D1、电容C1和可控硅Q1；可控硅Q1的负极与电容C1的一端和输出电压负端连接，可控硅Q1的正极与瞬变电压抑制二极管D1的负极和输出电压正端连接，可控硅Q1的控制极与电容C1的另一端和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与瞬变电压抑制二极管D1的正极连接。进一步地，还包括用于抑制电流突变的电感L1，电感L1的一端与可控硅Q1的正极连接，电感L1的另一端与瞬变电压抑制二极管D1的负极连接。进一步地，还包括用于为电容C1提供放电回路的电阻R2，电阻R2与电容C1并联。进一步地，瞬变电压抑制二极管D1为双极性变电压抑制二极管。进一步地，电阻R1的阻值为80~120欧姆，电阻R2的阻值为9K~11K欧姆。进一步地，电容C1的容值为0.8nF~1.2nF。本技术的有益效果为：该快速自驱动过压保护电路在输出电压正常工作时，不进行工作，没有功率消耗；当检测到输出过压时，因瞬变电压抑制二极管D1和可控硅Q1的快速反应特性，保证输出电压被快速可靠的关断；同时，电感L1的串入可抑制电流不能突变，电阻R2的设置，为电容C1提供放电回路，在电阻R2和电容C1的作用下，吸收瞬变电压抑制二极管D1的漏电流，防止可控硅Q1被误触发。附图说明图1为快速自驱动过压保护电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一种实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。为简单起见，以下内容中省略了该
技术人员所公知的技术常识。如图1所示，该快速自驱动过压保护电路包括电阻R1、瞬变电压抑制二极管D1、电容C1和可控硅Q1；其中，瞬变电压抑制二极管D1为双极性变电压抑制二极管，反应速度为nS级；可控硅Q1的负极与电容C1的一端和输出电压负端连接，可控硅Q1的正极与瞬变电压抑制二极管D1的负极和输出电压正端连接，可控硅Q1的控制极与电容C1的另一端和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与瞬变电压抑制二极管D1的正极连接。在具体实施中，瞬变电压抑制二极管D1信号的选择取决于输出过压设定值的大小；可控硅Q1型号的选择取决于输入电源的负载能力和耐冲击电流的大小；电阻R1的阻值为80~120欧姆，电阻R2的阻值为9K~11K欧姆，电容的容值为0.8nF~1.2nF；在具体实施中，优选电阻R1的阻值为100欧姆，电阻R2的阻值为10K欧姆，电容的容值为1nF，且电感L1一般选择电感量为几uH的电感。当输出电压过压，达到瞬变电压抑制二极管D1的击穿阈值电压时，瞬变电压抑制二极管D1工作在击穿状态；此时，瞬变电压抑制二极管D1上的电压为额定击穿电压，电路的过压保护点由瞬变电压抑制二极管D1的额定击穿电压来决定。当瞬变电压抑制二极管D1击穿工作后，开始有电流流过至电阻R1，并同时给电容C1充电，其电容C1的充电时间为电阻R1的阻值乘以电容C1的容值；当电容C1的电压与可控硅Q1的触发阈值电压相同时，可控硅Q1导通，并把输出电压正端与输出电压负端短路，此时，输出电压被可控硅Q1拉低接近于零伏，并引起与该电路连接的外部输入供电开关电源的过流保护功能，关闭输出。在具体实施中，由可控硅Q1的特性可知，一旦可控硅Q1被触发，只要存在输出电压，可控硅Q1便会维持导通，锁定在输出关断状态；当输入被重启，且过压状态已经消除，可控硅Q1便会关断，解除保护状态。该快速自驱动过压保护电路的电路结构新颖、简单，所使用的电子元件较少；且在输出电压正常工作时保护电路，且不工作没有功率消耗；当检测到输出过压，因瞬变电压抑制二极管D1和可控硅Q1的快速反应特性，保证了输出电压被快速可靠的关断，可靠性高。本技术的优选实施例为：还包括用于抑制电流突变的电感L1，电感L1的一端与可控硅Q1的正极连接，电感L1的另一端与瞬变电压抑制二极管D1的负极连接；在具体实施中，可控硅Q1开通的一瞬间，负载电容放电产生的浪涌电流有可能超出可控硅Q1的最大耐受冲击电流，此时，串入的电感L1可抑制电流，使其不能突变。本技术的优选实施例为：还包括用于为电容C1提供放电回路的电阻R2，电阻R2与电容C1并联；在具体实施中，电阻R2为电容C1提供放电回路，在电阻R2和电容C1的作用下，吸收瞬变电压抑制二极管D1的漏电流，防止可控硅Q1被误触发。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将使显而易见的，本文所定义的一般原理可以在不脱离技术的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本技术将不会被限制与本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖性特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速自驱动过压保护电路，其特征在于：包括电阻R1、瞬变电压抑制二极管D1、电容C1和可控硅Q1；所述可控硅Q1的负极与所述电容C1的一端和输出电压负端连接，可控硅Q1的正极与所述瞬变电压抑制二极管D1的负极和输出电压正端连接，可控硅Q1的控制极与所述电容C1的另一端和电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述瞬变电压抑制二极管D1的正极连接。

【技术特征摘要】
1.一种快速自驱动过压保护电路，其特征在于：包括电阻R1、瞬变电压抑制二极管D1、电容C1和可控硅Q1；所述可控硅Q1的负极与所述电容C1的一端和输出电压负端连接，可控硅Q1的正极与所述瞬变电压抑制二极管D1的负极和输出电压正端连接，可控硅Q1的控制极与所述电容C1的另一端和电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述瞬变电压抑制二极管D1的正极连接。2.根据权利要求1所述的快速自驱动过压保护电路，其特征在于：还包括用于抑制电流突变的电感L1，所述电感L1的一端与所述可控硅Q1的正极连接，电感L1的另一端与所述瞬变...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈朝滨，唐琦，李金兰，何翔，张荣东，
申请(专利权)人：成都四威功率电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51