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本发明涉及一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法。本发明的工艺步骤中，通过化学抛光和热处理吸杂处理衬底硅片以降低衬底硅片表面缺陷及体内缺陷，通过一次退火处理得到10‑50um的近表面清洁区，达到减小漏电流的作用；通过退火处理使得电压降低一倍，...
该专利属于天水天光半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过天水天光半导体有限责任公司授权不得商用。

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