一种温场可调的碳化硅晶体生长炉制造技术

本实用新型专利技术属于晶体生长技术领域，具体涉及一种温场可调的碳化硅晶体生长炉,包括炉体和上炉盖以及下炉盖，炉体内设有坩埚，坩埚上方设有籽晶轴，上炉盖上设有观察窗，观察窗上设有冷却夹套，冷却夹套上设有气体进口和气体出口；上炉盖、下炉盖以及炉体的内壁均设有反射层；坩埚外部设有首尾连接的上加热体、侧加热体和下加热体，所述的上加热体、侧加热体和下加热体均连接有汽缸。采用本实用新型专利技术不仅可以实现温场的调节，而且有效解决了观察窗容易被遮挡的问题，延长了观察窗的使用时间。

A silicon carbide crystal growth furnace with adjustable temperature field

The utility model belongs to the technical field of crystal growth, in particular relates to a temperature adjustable SiC crystal growth furnace, comprising a furnace body and a furnace cover and a furnace cover, furnace body is provided with a seed crystal crucible, crucible shaft arranged above the furnace cover is provided with an observation window observation window is equipped with a cooling jacket. The cooling gas inlet and a gas outlet is provided with a clamping sleeve; cover, and the inner wall of the furnace body under the furnace cover is provided with a reflector layer is arranged outside the crucible furnace; heating body, a heating body and a lower side of the heating body connected, wherein the upper side of the heating body, a heating body and a lower heating body is connected with the cylinder. The utility model not only can realize the adjustment of the temperature field, but also effectively solve the problem that the observation window is easy to be obscured, and prolongs the service time of the observation window.

【技术实现步骤摘要】
一种温场可调的碳化硅晶体生长炉
本技术属于晶体生长
，具体涉及一种温场可调的碳化硅晶体生长炉。
技术介绍
在晶体生长技术中，晶体的生长都是在晶体炉内生长，晶体生长方法主要有火焰法、提拉法、导模法、坩埚下降法、泡生法、定向凝固法等，无论哪种方法，对温场的要求都很高，而且晶体生长过程中会有挥发物挥发到观察窗晶片上，在5-10h之内，观察窗就会被挥发物遮挡，从而看不清楚炉内的晶体生长情况，进而无法保证炉内晶体生长质量。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提出了一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，采用本技术不仅可以实现温场的调节，而且有效解决了观察窗容易被遮挡的问题，延长了观察窗的使用时间。本技术采用以下技术方案：一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，包括炉体和上炉盖以及下炉盖，炉体内设有坩埚，坩埚上方设有籽晶轴，上炉盖上设有观察窗，观察窗上设有冷却夹套，冷却夹套上设有气体进口和气体出口；上炉盖、下炉盖以及炉体的内壁均设有反射层；坩埚外部设有首尾连接的上加热体、侧加热体和下加热体，所述的上加热体、侧加热体和下加热体均连接有汽缸。具体使用时，观察窗上设有冷却夹套，冷却夹套上设有气体进口和气体出口，冷却本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，包括炉体(1)和上炉盖(2)以及下炉盖(3)，炉体(1)内设有坩埚(4)，坩埚(4)上方设有籽晶轴(5)，其特征在于：上炉盖(2)上设有观察窗(6)，观察窗(6)上设有冷却夹套(7)，冷却夹套(7)上设有气体进口(8)和气体出口(9)；上炉盖(2)、下炉盖(3)以及炉体(1)的内壁均设有反射层(10)；坩埚(4)外部设有首尾连接的上加热体(11)、侧加热体(12)和下加热体(13)，所述的上加热体(11)、侧加热体(12)和下加热体(13)均连接有汽缸(14)。

【技术特征摘要】
1.一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，包括炉体(1)和上炉盖(2)以及下炉盖(3)，炉体(1)内设有坩埚(4)，坩埚(4)上方设有籽晶轴(5)，其特征在于：上炉盖(2)上设有观察窗(6)，观察窗(6)上设有冷却夹套(7)，冷却夹套(7)上设有气体进口(8)和气体出口(9)；上炉盖(2)、下炉盖(3)以及炉体(1)的内壁均设有反射层(10)；坩埚(4)外部设有首尾连接的上加热体(11)、侧加热体(12)和下加热体(13...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗艳民，李长进，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37