【技术实现步骤摘要】
一种坩埚组件及碳化硅粉料合成炉
本申请涉及一种坩埚组件及碳化硅粉料合成炉，属于半导体材料制备领域。
技术介绍
碳化硅是典型的宽禁带半导体材料，是继硅、砷化镓之后的第三代半导体材料代表之一。碳化硅材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率等优异特性，成为制备高温、高频、高功率及抗辐射器件的热门材料之一。而被广泛应用于民用灯光照明、屏幕显示、航空航天、高温辐射环境、石油勘探、雷达通信与汽车电子化等领域。目前碳化硅粉料制备主要使用自蔓延高温合成法实现。这种方法利用高温给予反应物初始发热，使其开始产生化学反应；随着反应进行，未反应的物质在反应放热的条件下继续完成化学反应。然而此种方法需添加额外的辅助反应剂才能维持进行，从而不可避免的造成外来杂质的污染，难以合成高纯度的碳化硅粉料，而且由于坩埚径向及轴向温度上的差异性，导致合成出的碳化硅粉料粒径存在很大差异。碳化硅粉料粒径不均匀将造成在碳化硅单晶生长过程中粉料堆积密度差异大，导致温场不均匀性增强，碳化硅单晶内应力增加甚至造成多型、微管等大型缺陷的产出。另外，制备碳化...
【技术保护点】
1.一种坩埚组件，其特征在于，其包括坩埚和导流件，所述坩埚设置一级进气孔；/n所述导流件设置在所述坩埚形成的坩埚腔内，所述导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与所述二级进气孔连通的多个多孔导流管；/n所述进气板将所述坩埚腔分成缓冲腔和合成腔，原料气进入一级进气孔后沿着缓冲腔、二级进气孔和多孔导流管的路径从多孔导流管的孔隙流至合成腔，并与合成腔内固体原料反应。/n
【技术特征摘要】
1.一种坩埚组件，其特征在于，其包括坩埚和导流件，所述坩埚设置一级进气孔；
所述导流件设置在所述坩埚形成的坩埚腔内，所述导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与所述二级进气孔连通的多个多孔导流管；
所述进气板将所述坩埚腔分成缓冲腔和合成腔，原料气进入一级进气孔后沿着缓冲腔、二级进气孔和多孔导流管的路径从多孔导流管的孔隙流至合成腔，并与合成腔内固体原料反应。
2.根据权利要求1所述的坩埚组件，其特征在于，所述二级进气孔与所述多孔导流管对应设置，所述多孔导流管自所述进气板底面延伸至所述坩埚底部内侧面。
3.根据权利要求1所述的坩埚组件，其特征在于，所述多孔导流管与所述进气板一体设置或螺纹连接。
4.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述多孔导流管均匀设置在所述合成腔内；
所述进气板以所述坩埚腔中轴线为共中心向外延伸均匀设置多层二级进气孔圆环形排布轨迹，所述相邻圆环形排布轨迹的间距相同。
5.根据权利要求4所述的坩埚组件，其特征在于，外圆环形排布轨迹设置的二级进气孔数量是相邻的沿内圆环形排布轨迹设置的二级进气孔数量的2倍。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：李加林，李斌，张红岩，高超，刘家朋，李长进，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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