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本申请公开了一种坩埚组件及碳化硅粉料合成炉，属于半导体材料制备领域。该坩埚组件包括坩埚和导流件，所述坩埚设置一级进气孔；所述导流件设置在所述坩埚形成的坩埚腔内，所述导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与所述二级进气孔连通的多个多孔导流...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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