一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用制造方法及图纸

本申请公开了一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用。该装置包括：真空生长室，内设开口朝上的坩埚，坩埚内能够盛放高温熔液；碳化硅晶体装载装置，位于真空生长室内、坩埚的上方，并且能够上下移动；温度调节装置，能够对真空生长室内部进行温度调节；压力调控装置，能够调节真空生长室内部的压力，包括抽气口和进气口，抽气口设于碳化硅晶体装载装置上方，进气口设于碳化硅晶体装载装置下方。本申请装置可以形成由下至上的气体流动方向，更利于排除碳化硅晶体中贯穿微管内部气体，提高贯穿微管中气体排除效率，有利于使坩埚内的高温熔液进入贯穿微管内部进行微管修复。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用
本专利技术涉及碳化硅单晶生产领域，具体说是一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用。
技术介绍
碳化硅作为第三代半导体材料具有杰出的物理和电子学性能，作为具有高临界击穿电场和高热导率的宽禁带半导体材料，已经证明了具有广阔的应用前景和巨大的商业价值。目前，成熟的产业化生长碳化硅的方法是PVT法，但这种方法具有很多的不确定性。PVT法是在密闭的石墨坩埚中生长，生长过程不可见，而其中无论是碳硅比，坩埚的石墨化还是籽晶的缺陷，都会在生长过程中不可避免的带来多晶、多型和微管等许多缺陷，这不仅限制了碳化硅产量的提升，同时对电子器件的性能也有着很大的影响。在各种缺陷中，微管是对电子器件具有破坏性的缺陷，人们对微管的起源已有清晰的了解，但在碳化硅微管如何修复方面尚无成熟方法和装置。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用。本专利技术提供的碳化硅晶体微管愈合用装置，包括：真空生长室，其内设开口朝上的坩埚，所述坩埚内能够盛放高温熔液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体微管愈合用装置，其特征在于，所述微管愈合用装置包括：真空生长室，其内设开口朝上的坩埚，所述坩埚内能够盛放高温熔液；/n碳化硅晶体装载装置，位于所述真空生长室内、所述坩埚的上方，并且能够上下移动；/n温度调节装置，能够对所述真空生长室内部进行温度调节；/n压力调控装置，能够调节所述真空生长室内部的压力，包括抽气口和进气口，所述抽气口设于所述碳化硅晶体装载装置的上方，所述进气口设于所述碳化硅晶体装载装置的下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体微管愈合用装置，其特征在于，所述微管愈合用装置包括：真空生长室，其内设开口朝上的坩埚，所述坩埚内能够盛放高温熔液；
碳化硅晶体装载装置，位于所述真空生长室内、所述坩埚的上方，并且能够上下移动；
温度调节装置，能够对所述真空生长室内部进行温度调节；
压力调控装置，能够调节所述真空生长室内部的压力，包括抽气口和进气口，所述抽气口设于所述碳化硅晶体装载装置的上方，所述进气口设于所述碳化硅晶体装载装置的下方。


2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体微管愈合用装置，其特征在于，所述碳化硅晶体装载装置包括开口朝下的上托盘和开口朝上的下托盘，
所述上托盘和所述下托盘之间为可拆卸式连接，且连接后能够形成容纳碳化硅晶体的腔体，所述腔体的上端设第一通孔，所述第一通孔与所述抽气口之间气相连通，所述腔体的下端设第二通孔，所述第二通孔能够使所述坩埚内盛放的高温熔液进入所述腔体内。


3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体微管愈合用装置，其特征在于，所述腔体的侧壁设至少一个第三通孔，使所述腔体内部与所述腔体外部之间形成液相连通。


4.根据权利要求3所述的碳化硅晶体微管愈合用装置，其特征在于，每个所述第三通孔的高度大于或等于所述腔体内容纳的所述碳化硅晶体或其叠放高度。


5.根据权利要求2-4中任一所述的碳化硅晶体微管愈合用装置，其特征在于，所述碳化硅晶体装载装置还包括晶体载具，所述晶体载具为上下通透的柱形体，所述柱形体内壁上设至少一个环形的卡槽，每个所述卡槽能够水平卡放一个碳化硅晶片或晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王路平，许晓林，刘鹏飞，高超，张九阳，王宗玉，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37