一种碳化硅晶体生长装置制造方法及图纸
A silicon carbide crystal growth device
The utility model belongs to the technical field of crystal growth, in particular relates to a silicon carbide crystal growth device, which comprises a crucible crucible, an insulating layer is arranged outside the insulating layer, including insulation layer, insulating layer and the insulating layer side, the side outside of the insulating layer and the thickness of the ladder from top to bottom side of the insulation layer is increased; inside the jagged reflecting surface; a heating body is evenly distributed on the side wall of the I crucible; at the bottom of the crucible is provided with a heating body II; heating body I and a power controller is connected with the heating body II lifting device. The utility model has the advantages of simple structure and convenient operation. The utility model can accurately control the gradient and stability of the temperature field during the crystal growth process, guarantee the quality of crystal growth, and also reduce the heat loss to a minimum.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体生长装置
本技术属于晶体生长
，具体涉及一种碳化硅晶体生长装置。
技术介绍
在晶体生长技术中，晶体的生长都是在晶体炉内生长，晶体生长方法主要有火焰法、提拉法、导模法、坩埚下降法、泡生法、定向凝固法等，无论哪种方法，对温场的梯度和稳定性要求都很高。而现有的晶体生长装置，温度控制通常采用肉眼观察，温度控制不稳定，影响晶体的省长质量。另外，晶体生长过程中，热量也损失也比较大。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提出了一种碳化硅晶体生长装置，采用本技术可以在晶体生长过程中精确控制温场的梯度和稳定性，并且将热量损失降到最低。本技术采用以下技术方案：一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚，坩埚外设有保温层，保温层包括上保温层、下保温层和侧保温层，所述的侧保温层外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层内侧为锯齿状反射面；坩埚侧壁上均匀分布有加热体I；坩埚底部设有加热体II；加热体I与功率控制器相连，加热体II与升降装置相连。所述的侧保温层外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加，使其具有合适的纵向温度梯度，便于提高拉晶速度及降低拉晶周期。侧保温层内侧为锯齿状反射面，可以...
【技术保护点】
一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚(1)，坩埚(1)外设有保温层，其特征在于：保温层包括上保温层(2)、下保温层(3)和侧保温层(4)，所述的侧保温层(4)外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层(4)内侧为锯齿状反射面(5)；坩埚(1)侧壁上均匀分布有加热体I(6)；坩埚(1)底部设有加热体II(7)；加热体I(6)与功率控制器(8)相连，加热体II(7)与升降装置(9)相连。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚(1)，坩埚(1)外设有保温层，其特征在于：保温层包括上保温层(2)、下保温层(3)和侧保温层(4)，所述的侧保温层(4)外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层(4)内侧为锯齿状反射面(5)；坩埚(1)侧壁上均匀分布有加热体I(6)；坩埚(1)底部设有加热体II(...
【专利技术属性】
技术研发人员：宗艳民，窦文涛，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37
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