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本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚，坩埚外设有保温层，保温层包括上保温层、下保温层和侧保温层，所述的侧保温层外侧呈阶梯状且厚度由上至下依次增加；侧保温层内侧为锯齿状反射面；坩埚侧壁上均匀分布有加热体I；...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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