半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装，包含一内连部件，被模塑料环绕包覆，其中内连部件包含第一重布层结构；第二重布层结构，设于内连部件上；多个第一连接件，设于第二重布层结构上；抛光停止层，覆盖于内连部件的表面上；多个第二连接件，设于抛光停止层中；以及至少一半导体晶粒设于第二连接件上。

Semiconductor packaging and its manufacturing methods

The invention discloses a semiconductor package includes a connected component, is surrounded by plastic coating, which interconnect member includes a first heavy cloth layer structure; the double layered structure, located on the inside of even part; a plurality of the first connecting piece, a double layered structure; polishing stop covering layer even in parts of the surface; a plurality of second connecting pieces, a polish stop layer; and at least one semiconductor die is arranged on the second connecting piece.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种制造具有高密度及混合式中介层衬底的半导体内连装置的方法。
技术介绍
如本领域所已知的，在2.5D集成电路(IC)封装中，多个晶粒或芯片通常被设置在硅中介层上。硅中介层借由使用穿硅通孔(throughsubstratevia或throughsiliconvia,下称TSV)技术达到晶粒之间的内连及外部的输出/输入(I/O)。然后，硅中介层通常经由C4凸块设置在一封装衬底上。然而，TSV硅中介层是相对昂贵的，因此，本领域仍需要一种改进的半导体封装，其具有无TSV的中介层，而这样的中介层仍可以提供非常细间距的内连结构。美国专利公开号US2015/0371965A1公开一种制造高密度电路薄膜的方法。此先前技术的缺点之一是在切割电路薄膜重布层I之前移除临时载板I。由于移除了临时载板I，缺乏足够的机械支撑，使电路薄膜重布层I的处里变得困难且产品合格率也因此较低。
技术实现思路
本专利技术的一主要目的在提供一种改良的方法，用于制造一半导体装置，其具有混合式、无TSV的中介层衬底。本专利技术的另一目的在提供一种改良的方法，用于制造具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一第一载板，其上设有一抛光停止层；于所述抛光停止层上形成一重布层结构；对所述重布层结构与所述第一载板进行一第一切割工艺，构成彼此分离的个别的内连部件；将多个所述内连部件重排并安置在一第二载板上；形成一模塑料，使其覆盖多个所述内连部件；去除所述第二载板，以显露出各所述内连部件的所述第一重布层结构的一表面；于所述第一重布层结构的显露出的所述表面上与所述模塑料上，形成一第二重布层结构；于所述第二重布层结构上形成第一连接件；使所述第一连接件与一第三载板接合；研磨所述模塑料与所述第一载板；完全去除所述第一载板的剩余部分，如此形成一凹陷处；抛光所述模塑料，使...

【技术特征摘要】
2016.08.21 US 15/242,5941.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一第一载板，其上设有一抛光停止层；于所述抛光停止层上形成一重布层结构；对所述重布层结构与所述第一载板进行一第一切割工艺，构成彼此分离的个别的内连部件；将多个所述内连部件重排并安置在一第二载板上；形成一模塑料，使其覆盖多个所述内连部件；去除所述第二载板，以显露出各所述内连部件的所述第一重布层结构的一表面；于所述第一重布层结构的显露出的所述表面上与所述模塑料上，形成一第二重布层结构；于所述第二重布层结构上形成第一连接件；使所述第一连接件与一第三载板接合；研磨所述模塑料与所述第一载板；完全去除所述第一载板的剩余部分，如此形成一凹陷处；抛光所述模塑料，使得所述抛光停止层的一上表面与所述模塑料的一上表面齐平；于所述抛光停止层中形成多个开口；以及分别于所述开口中形成第二连接件。2.根据权利要求1所述的一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在分别于所述开口中形成第二连接件后，另包含有：于所述第二连接件上设置半导体晶粒；去除所述第三载板；以及进行一第二切割工艺，构成彼此分离的个别的半导体封装。3.根据权利要求1所述的一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述抛光停止层包含氮化硅、氧化硅或其组合。4.根据权利要求1所述的一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一载板包含硅。5.根据权利要求1所述的一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二载板包含玻璃或硅，其中所述第二载板具有一晶圆形状或一矩形面板形状。6.根据权利要求5所述的一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第三载板包含玻璃或硅，其中所述第三载板与所述第二载板具有相同形状。7.根据权利要求2所述的一种半导体装置的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US