LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片的制备方法。所述制备方法包括：在衬底的上方生成保护层，形成保护结构；在所述保护结构上进行切割生成凹槽，形成第一凹槽结构，所述凹槽穿透所述保护层并延伸到所述衬底的内部；将所述第一凹槽结构在保护层洗涤溶液中进行保护层洗涤，以去除所述保护层，形成第二凹槽结构；在所述第二凹槽结构的上方形成外延层；在所述外延层上设置正电极和负电极，生成芯片结构；将所述芯片结构沿着所述凹槽进行崩裂，生成多个LED芯片。本公开的LED芯片的制备方法先对衬底进行切割形成凹槽，然后再形成外延层，能够避免切割凹槽时的高温对外延层造成的影响。

The preparation method of LED chip

The invention discloses a preparation method of a LED chip. The preparation method comprises the following steps: in the formation of protective layer above the substrate, forming a protective structure; cutting grooves generated in the protection structure, forming a first groove structure, the groove penetrating the protective layer and extends to the inside of the substrate; the first groove structure of the protective layer in washing the protective layer in the wash solution, to remove the protective layer, forming a second groove structure; forming an epitaxial layer on top of the second groove structure; a positive electrode and a negative electrode is arranged on the epitaxial layer, the chip will generate structure; the chip structure along the groove of crack, generating a plurality of LED chip. The preparation method of the disclosed LED chip first cuts the substrate to form a groove, and then forms an epitaxial layer, which can avoid the influence of high temperature on the outer layer when cutting the groove.

【技术实现步骤摘要】
LED芯片的制备方法
本公开涉及半导体领域，具体地，涉及一种LED芯片的制备方法。
技术介绍
LED芯片也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件，其主要功能是把电能转化为光能。芯片的主要材料为单晶硅，由两部分组成，一部分是P型半导体，其中空穴占主导地位，另一端是N型半导体，其中电子占主导地位。这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量。现有LED芯片的制备方法先在衬底上形成外延层，然后进行激光切割后崩裂，形成单个LED芯片。现有方法的激光切割会产生高温，进而对外延层造成影响。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种简单易行的LED芯片的制备方法。为了实现上述目的，本公开提供一种LED芯片的制备方法，该制备方法包括：在衬底的上方生成保护层，形成保护结构；在保护结构上进行切割生成凹槽，形成第一凹槽结构，凹槽穿透保护层并延伸到衬底的内部；将第一凹槽结构在保护层洗涤溶液中进行保护层洗涤，以去除保护层，形成第二凹槽结构；在第二凹槽结构的上方形成外延层；在外延层上设置正电极和负电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底(1)的上方生成保护层(6)，形成保护结构；在所述保护结构上进行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽结构，所述凹槽(4)穿透所述保护层(6)并延伸到所述衬底(1)的内部；将所述第一凹槽结构在保护层洗涤溶液中进行保护层洗涤，以去除所述保护层(6)，形成第二凹槽结构；在所述第二凹槽结构的上方形成外延层(2)；在所述外延层(2)上设置正电极(11)和负电极(3)，生成芯片结构；将所述芯片结构沿着所述凹槽(4)进行崩裂，生成多个LED芯片。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底(1)的上方生成保护层(6)，形成保护结构；在所述保护结构上进行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽结构，所述凹槽(4)穿透所述保护层(6)并延伸到所述衬底(1)的内部；将所述第一凹槽结构在保护层洗涤溶液中进行保护层洗涤，以去除所述保护层(6)，形成第二凹槽结构；在所述第二凹槽结构的上方形成外延层(2)；在所述外延层(2)上设置正电极(11)和负电极(3)，生成芯片结构；将所述芯片结构沿着所述凹槽(4)进行崩裂，生成多个LED芯片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，生成所述保护层(6)的材料包括以下中的任意一者：二氧化硅、氮化硅、金、以及钛。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽(4)的深度为20-40微米，宽度为6-15微米。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽(4)在相互垂直的两个方向上延伸。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层洗涤溶液为含有氟化氢和氟化铵的水溶液。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述保护结构上进行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽结构的步骤之后，所述方法还包括：将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，彭遥，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44