白光LED及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种白光LED及其制备方法，涉及基本电气元件及其制备方法技术领域。所述白光LED包括从下到上设置的衬底层、缓冲层、N型层、有源区层以及P型层，通过在P型层与N型层之间加电压，实现所述LED所发射的光为白光，所述有源区层包括从下到上设置的InN层、InxGa1‑xN层、GaN层、AlyGa1‑yN层以及AlN，其中

【技术实现步骤摘要】
白光LED及其制作方法
本专利技术涉及基本电气元件及其制备方法
，尤其涉及一种白光LED及其制作方法。
技术介绍
在全球气候变化和能源紧张的背景下，节约能源、保护环境成为当今时代的主流，其中寻求高节能的照明光源已受到高度重视。白光发光二极管(lightemittingdiode，LED)作为一种新型的固体光源，以其节能、绿色环保、寿命长及体积小等诸多优点，在半导体照明、显示以及可见光通信领域有着巨大的应用前景。目前，国内外实现白光LED的主要有以下几种途径：(1)采用紫外-近紫外光的LED芯片和可被紫外-近紫外光激发发射红、绿、蓝三基色的荧光粉，产生多色混合组成白光LED；(2)蓝色LED芯片和可被蓝光有效激发的发黄光荧光粉结合组成白光LED。荧光粉吸收一部分蓝光，受激发发射黄光，发射的黄光与剩余的蓝光混合，最后获得白光LED；(3)利用三基色原理和目前已能生产的红、绿、蓝三种超高亮度LED按比例混合成白色。以上制备白光LED的前两种方法中，最重要的是选择合适的稀土荧光粉材料；第三种需要三个芯片进行合成。上述三种获得白光LED的方法都需要使用荧光粉材料，荧光粉材料在使用的过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光LED，其特征在于：包括从下到上设置的衬底层（101）、缓冲层（102）、N型层（103）、有源区层以及P型层（109），通过在P型层（109）与N型层（103）之间加电压，实现所述LED所发射的光为白光，所述有源区层包括从下到上设置的InN层（104）、InxGa1‑xN层（105）、GaN层（106）、AlyGa1‑yN层（107）以及AlN（108），其中

【技术特征摘要】
1.一种白光LED，其特征在于：包括从下到上设置的衬底层（101）、缓冲层（102）、N型层（103）、有源区层以及P型层（109），通过在P型层（109）与N型层（103）之间加电压，实现所述LED所发射的光为白光，所述有源区层包括从下到上设置的InN层（104）、InxGa1-xN层（105）、GaN层（106）、AlyGa1-yN层（107）以及AlN（108），其中，且InxGa1-xN层（105）和AlyGa1-yN层（107）从下到上渐变的过程中，x的值从1逐渐减少到0，y的值从0逐渐增加到1。2.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于：所述衬底层（101）的制作材料为SiC或者蓝宝石。3.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于：所述缓冲层（102）的制作材料为AlN。4.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于：所述N型层（103）的制作材料为N型掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟静，
申请(专利权)人：孟召阳，
类型：发明
国别省市：河北,13