一种发光二极管及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制备方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种发光二极管及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)，也称为电致发光二极管，是LED灯的核心组件。随着发光二极管技术的快速发展，发光二极管在各领域中的应用越来越广泛。如何提高发光二极管的发光效率是发光二极管研究过程中一个永不过时的话题，现今主流的提高发光二极管的发光效率的途径主要包括提高内、外量子效率和提高光的萃取率等途径。研究人员发现，提高发光二极管中电流的扩展效果能够有效提高发光二极管的量子效率，从而提升发光二极管的发光效率。现有技术中通常通过在外延结构表面设置一层透明导电层来实现提高发光二极管中电流扩展效果的目的，但是由于主流的透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)等的透光率并非100％，过厚的透明导电层会吸收较多发光二极管的出射光线，反而难以达到提高发光二极管的出光效率的目的；而过薄的透明导电层的电流扩展效果又较差，难以起到提升发光二极管的量子效率的目的，反而会导致发光二极管的工作电压升高的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了...
【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的外延结构，所述外延结构至少包括第一型限制层、有源区、第二型限制层和第二型电流扩展层；位于所述衬底背离所述外延结构表面的第一电极；位于所述第二型电流扩展层表面的重掺杂第二型电流扩展层，所述重掺杂第二型电流扩展层的掺杂浓度大于所述第二型电流扩展层的掺杂浓度；所述重掺杂第二型电流扩展层包括多个扩展层单元、多个第一类凹槽和一个第二类凹槽，所述多个第一类凹槽和一个第二类凹槽分布于相邻所述扩展层单元之间，所述第一类凹槽暴露出所述第二型电流扩展层，所述第二类凹槽暴露出所述第二型电流扩展层的电极区域；位于所述第二类凹槽底部以及紧邻所...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的外延结构，所述外延结构至少包括第一型限制层、有源区、第二型限制层和第二型电流扩展层；位于所述衬底背离所述外延结构表面的第一电极；位于所述第二型电流扩展层表面的重掺杂第二型电流扩展层，所述重掺杂第二型电流扩展层的掺杂浓度大于所述第二型电流扩展层的掺杂浓度；所述重掺杂第二型电流扩展层包括多个扩展层单元、多个第一类凹槽和一个第二类凹槽，所述多个第一类凹槽和一个第二类凹槽分布于相邻所述扩展层单元之间，所述第一类凹槽暴露出所述第二型电流扩展层，所述第二类凹槽暴露出所述第二型电流扩展层的电极区域；位于所述第二类凹槽底部以及紧邻所述第二类凹槽的扩展层单元的电流阻挡层；覆盖所述重掺杂第二型电流扩展层、第二型电流扩展层裸露表面以及位于扩展层单元表面的电流阻挡层表面的透明导电层；覆盖位于所述第二类凹槽底部的电流阻挡层表面以及部分透明导电层表面的第二电极。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二型电流扩展层的掺杂浓度的取值范围为1017cm-3-5×1018cm-3，包括端点值；所述重掺杂第二型电流扩展层的掺杂浓度的取值范围为5×1018cm-3-1020cm-3，包括端点值。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一类凹槽的宽度不小于所述第二类凹槽的宽度。4.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面生长有外延结构，所述外延结构至少包括第一型限制层、有源区、第二型限制层和第二型电流扩展层；在所述外延结构表面生长重掺杂第二型电流扩展层，并对所述重掺杂第二型电流扩展层进行刻蚀，形成多个扩展层单元、多个第一类凹槽和一个第二类凹槽，所述多个第一类凹槽和一个第二类凹槽分布于相邻所述扩展层单元之间，所述第一类凹槽暴露出所述第二型电流扩展层，所述第二类凹槽暴露出所述第二型电流扩展层的电极区域；形成覆盖所述第二类凹槽底部以及紧邻所述第二类凹槽的扩展层单元表面的电流阻挡层；在覆盖所述重掺杂第二型电流扩展层、第二型电流扩展层裸露表面以及位于扩展层单元表面生长透明导电层；覆盖位于所述第二类凹槽底部的电流阻挡层表面及部分透明导电层表面形成第二电极；在所述衬底背离所述外延结构一侧表面形成第一电极。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二型电流扩展层的掺杂浓度的取值范围为1017cm-3-5×1018c...
【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，刘兆，吕奇孟，蔡海防，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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