微发光二极管的生长和转运设备及转运方法技术

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管的生长和转运设备，包括生长基底、多个微发光二极管、保护层、转运基底以及拾取层，多个微发光二极管中，一部分所述微发光二极管为待转运部分，其余部分为非转运部分；所述保护层覆盖所述非转运部分；所述拾取层设置于所述转运基底的一侧的整面，所述拾取层至少具有垂直于所述转运基底的方向的弹性力，所述拾取层具有拾取所述待转运部分的拾取力。本申请能够适应不同阵列排布的待转运的微发光二极管，从而节省了生长和转运设备的制造成本。

Growth and transport equipment and transport methods of micro light-emitting diodes

The invention relates to the field of display technology, especially relates to growth and transport equipment for micro light emitting diodes, including growth substrate, a plurality of micro light emitting diode, a protective layer, a base and a pickup transport layer, a plurality of micro light emitting diode, a portion of the micro light emitting diode for transfer part, the rest is non transport parts; the protective layer covers the whole surface of non transport parts; one side of the pickup layer disposed on the substrate transport, the elastic force of the pickup layer has at least perpendicular to the direction of the transport substrate, the pickup layer has picked up the force picking up part of the transport. The application can adapt to the micro - light-emitting diodes with different array arrangement to be transported, thus saving the manufacturing cost of the growth and transport equipment.

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管的生长和转运设备及转运方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种微发光二极管的生长和转运设备及转运方法。
技术介绍
微发光二极管(Micro-LED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件，由于其较普通LED的尺寸要小很多，能够将相邻两个像素点之间距离从毫米级降低至微米级，因此，利用微发光二极管阵列实现微型的显示面板成为可能。微型的显示面板的制作方法，先在供给基板的生长基底上直接形成微发光二极管阵列，通常，微发光二极管阵列中的各微发光二极管靠近生长基底的一侧的面积大于另一侧的面积；然后通过转运头将微发光二极管转印至接收基板上，对接收基板进行封装，形成微显示面板。由于现有的这种微发光二极管靠近生长基底一侧的面积较另一侧大，因此，各微发光二极管与生长基底的粘结力比较均衡，因此与其相适配的转运头通常在刚性基底上形成多个凸起，多个凸起与各待转运的微发光二极管一一对应，以将待转运的微发光二极管转印。显然，在转运不同阵列排布的微发光二极管时，转运头上的凸起设置不同，需要制作不同的转运头，增加了制作成本。
技术实现思路
本申请提供了一种微发光二极管的生长和转运设备及转运方法，能够解决上述问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，包括：生长基底，多个微发光二极管，其中，一部分所述微发光二极管为待转运部分，其余部分为非转运部分；保护层，所述保护层覆盖所述非转运部分；转运基底，拾取层，设置于所述转运基底的一侧的整面，所述拾取层至少具有垂直于所述转运基底的方向的弹性力，所述拾取层具有拾取所述待转运部分的拾取力。

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，包括：生长基底，多个微发光二极管，其中，一部分所述微发光二极管为待转运部分，其余部分为非转运部分；保护层，所述保护层覆盖所述非转运部分；转运基底，拾取层，设置于所述转运基底的一侧的整面，所述拾取层至少具有垂直于所述转运基底的方向的弹性力，所述拾取层具有拾取所述待转运部分的拾取力。2.根据权利要求1所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，各所述微发光二极管包括本体和连接部，所述本体通过所述连接部形成于所述生长基底的一侧，且沿垂直于所述生长基底的方向，各所述本体与所述生长基底之间留有间隙；还包括支撑层，所述支撑层填充所述非转运部分中的所述本体与所述生长基底之间的所述间隙。3.根据权利要求2所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，所述连接部与所述本体一次成型。4.根据权利要求2所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，所述本体的厚度较所述连接部的厚度大，所述厚度所在的方向垂直于所述生长基底。5.根据权利要求1-4任一项所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，所述保护层的材质为金属和光刻胶中的至少一种。6.根据权利要求1-4任一项所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，所述拾取层具有变形状态和非变形状态，在所述非变形状态，所述拾取层的最小厚度大于所述保护层远离所述生长基底的一面与所述微发光二极管远离所述生长基底的一面之间的距离，所述厚度所在的方向垂直于所述生长基底。7.一种利用权利要求1-6任一项所述的生长和转运设备转运微发光二极管的方法，其特征在于，包括：在生长基底的一侧形成多个微发光二极管；在多个微发光二极管远离所述生长基底的一侧形成第一膜层；图案化所述第一膜层，暴露待转运的所述微发光二极管；在转运基底上整面形成拾取层，所述拾取层具有弹性力；将所述拾取层与所述生长基底压合，所述拾取层与所述待转运的所述微发光二极管贴合；拾取所述待转运的所述微发光二极管。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在生长基底的一侧形成多个微发光二极管，具体为：在所述生长基底的一侧形成第二膜层；在所述第二膜层远离所述生长基底的一侧形成多个微发光二极管，各所述微发光二极管包括本体和连接部，所述连接部用于连接所述本体和所述生长基底；其中，所述第二膜层形成于所述本体和所述生长基底之间。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述图案化所述第一膜层，暴露待转运的所述微发光二极管，具...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超民，丁渊，李飞，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31