一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极及制备方法，该制备方法包括以下步骤：在清洗的AlGaN基深紫外外延片的P面上通过电子束蒸发或磁控溅射依次制备粘合层、反光镜层，通过光刻、纳米压印或纳米球掩模法制备三维功能图形掩模，再次制备三维复合功能层，清洗后最终依次制备填充层、隔离层和电极层。本发明专利技术制备的复合功能P型电极用于垂直结构及倒装结构AlGaN级深紫外LED，可以提供高效的深紫外波段光反射率，在激光剥离时可以对外延层提供支撑并且实现应力无损释放。

A composite functional P type electrode for deep ultraviolet LED with vertical structure and its preparation method

The invention discloses a composite function of P type electrode and preparation method of the vertical structure of deep UV LED, the preparation method comprises the following steps: preparing an adhesive layer, followed by reflector layer by electron beam evaporation and magnetron sputtering in AlGaN based cleaning deep UV P epitaxial wafer surface, preparation of three-dimensional functional pattern mask mask method via nano imprint lithography, or nanoparticles, again preparing three-dimensional composite function layer, after cleaning the final preparation in filling layer, isolation layer and electrode layer. The compound function P electrode prepared by the invention is used for vertical structure and inverted structure AlGaN level deep ultraviolet LED, which can provide efficient deep ultraviolet band light reflectivity, provide support for external layer when laser peeling and achieve stress free release.

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极及制备方法
本专利技术属于光电
，具体涉及一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极及制备方法。
技术介绍
AlGaN基深紫外光源在光存储、化学分析、生物科技、医疗杀菌、光刻、聚合物固化、非视距通讯等许多领域具有广阔的应用前景。与目前较为成熟的GaN基蓝光发光器件相比，目前波长较短的深紫外发光器件的发光效率和输出功率要低得多。由于外延质量较差、掺杂效率低等问题，从而导致电注入困难、发光较弱、载流子拥堵而发热严重。目前较多研究机构都用了倒装结构制备AlGaN基深紫外芯片，虽然出光有所改善，但是依然存在电流拥堵现象。采用垂直结构可以有效地克服出光、电流扩散的问题，但是蓝宝石衬底/AlN外延层的激光剥离是个难题：传统的深紫外LED电极，在激光剥离时无法提供足够的支撑，从而导致外延层在剥离时破裂；而采用GaN基蓝光LED的反光镜电极体系，电极材料对深紫外光具有较高的吸收。因此，需要一种新型电极，用于垂直结构、倒装结构AlGaN基深紫外LED，能够在深紫外波段提供有效的光反射，同时在激光剥离时可为外延层提供足够的应力支撑。专利
技术实现思路
本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在蓝宝石衬底上生长AlGaN基深紫外LED外延结构，生长完毕后进行原位退火实现载流子激活；第二步，将生长好的AlGaN基深紫外LED外延片用H2SO4与H2O2的混合溶液加热，随后冲洗，吹干；第三步，在第二步得到的清洗后的外延片P型层表面，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第一层：粘合层；第四步，在第三步获得的粘合层表面，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第二层：反光镜层；第五步，在第四步获得的反光镜层表面，通过光刻、纳米压印或纳米球掩模制备三维功能图形，通过电子束蒸发台或磁控溅...

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在蓝宝石衬底上生长AlGaN基深紫外LED外延结构，生长完毕后进行原位退火实现载流子激活；第二步，将生长好的AlGaN基深紫外LED外延片用H2SO4与H2O2的混合溶液加热，随后冲洗，吹干；第三步，在第二步得到的清洗后的外延片P型层表面，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第一层：粘合层；第四步，在第三步获得的粘合层表面，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第二层：反光镜层；第五步，在第四步获得的反光镜层表面，通过光刻、纳米压印或纳米球掩模制备三维功能图形，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第三层：三维复合功能层；第六步，在第五步获得的三维复合功能层的间隙中，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第四层：填充层；第七步，在第六步获得的填充层表面，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第五层：隔离层；第八步，在第七步获得的隔离层表面，通过电子束蒸发台或磁控溅射台制备复合功能P型电极第六层：电极层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第二步中，将生长好的AlGaN基深紫外LED外延片用质量百分比浓度为98％H2SO4与质量百分比浓度为30％H2O2按体积比3：1的混合溶液加热到120℃浸泡20分钟，随后用去离子水冲洗10分钟，最后用氮气吹干。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第三步中，粘合层厚度为0.1nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：李虞锋，云峰，张维涵，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61