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本发明公开了一种垂直结构深紫外LED的复合功能P型电极及制备方法，该制备方法包括以下步骤：在清洗的AlGaN基深紫外外延片的P面上通过电子束蒸发或磁控溅射依次制备粘合层、反光镜层，通过光刻、纳米压印或纳米球掩模法制备三维功能图形掩模，再次制...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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