深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置，属于LED芯片领域。包括：清洗LED外延片，外延片衬底上依次包括n‑GaN层、量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层和p电极接触层；光刻外延片形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设尺寸和形状、切割道及用于制备n电极的圆孔图案，刻蚀圆孔至n‑GaN层；在p电极接触层上蒸镀ITO电流扩展层；深刻蚀切割道至衬底表面；在ITO电流扩展层上表面、外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO2钝化层，清洗圆孔底部和p电极接触层的SiO2钝化层；在圆孔内蒸镀n电极层，在n电极层上蒸镀反射层，在ITO电流扩展层上蒸镀p电极层；研磨减薄衬底，沿着切割道采用激光划片，用裂片机沿着切割道裂片。本发明专利技术增加了倒装结构LED芯片的抗静电水平。

【技术实现步骤摘要】
深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置
本专利技术涉及LED芯片制备
，尤其涉及一种深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置。
技术介绍
蓝光LED(LightEmittingDiode，发光二极管)因其在照明、显示等应用领域有广阔的应用市场，己成为光电子行业研究的热点。目前市场上的蓝光LED芯片的封装结构主要有正装结构、倒装结构和垂直结构三种形式。考虑到生产成本和亮度的性价比，倒装结构的LED芯片是目前常用的高亮度芯片。目前倒装结构的LED芯片还是采用正装LED芯片。如图1所示，其为正装结构LED芯片裂片前的示意图。在制备正装结构的LED芯片时，为了提高其抗静电水平，在芯片侧面镀上SiO2钝化层来防止漏电。在刻蚀n电极时，台阶深度刻至n-GaN层，划片后会形成裸露的小台阶，如图1中11所示；裂片后，芯片侧壁会留有裸漏的n-GaN层，如图1中的12所示，n-GaN层侧壁及划片台阶的表面均未覆盖SiO2钝化层。使用该芯片倒置封装时，锡膏易与n-GaN层裸漏的侧壁及划片台阶的表面黏接而形成漏电通道，导致倒装结构LED芯片的抗静电能力低。
技术实现思路
本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深刻蚀切割道倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，清洗LED外延片；其中，LED外延片衬底以上依次包括n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑GaN层和p电极接触层；步骤S2，对LED外延片进行光刻，形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设的尺寸和形状、切割道以及用于制备n电极的圆孔图案，然后通过ICP工艺刻蚀圆孔使其深度至n‑GaN层；步骤S3，在p电极接触层上表面蒸镀ITO电流扩展层；步骤S4，采用ICP工艺深刻蚀切割道至衬底表面；步骤S5，在ITO电流扩展层上表面、LED外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO2钝化层，然后光刻并通过...

【技术特征摘要】
1.一种深刻蚀切割道倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，清洗LED外延片；其中，LED外延片衬底以上依次包括n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p-AlGaN电子阻挡层、p-GaN层和p电极接触层；步骤S2，对LED外延片进行光刻，形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设的尺寸和形状、切割道以及用于制备n电极的圆孔图案，然后通过ICP工艺刻蚀圆孔使其深度至n-GaN层；步骤S3，在p电极接触层上表面蒸镀ITO电流扩展层；步骤S4，采用ICP工艺深刻蚀切割道至衬底表面；步骤S5，在ITO电流扩展层上表面、LED外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO2钝化层，然后光刻并通过化学腐蚀清洗干净圆孔底部和p电极接触层的SiO2钝化层；步骤S6，在圆孔内蒸镀n电极层，在n电极层上蒸镀反射层，在ITO电流扩展层上蒸镀p电极层；步骤S7，研磨减薄衬底，然后沿着切割道采用激光划片，最后采用裂片机沿着切割道裂片，完成倒装结构LED芯片的制作。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每个所述平台图形上的圆孔个数为1～3个；所述圆孔深度范围为3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ITO电流扩展层的厚度为和/或所述SiO2钝化层的厚度为和/或所述p电极层的厚度为和/或所述反射层的厚度为4.根据权利要求1所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：董海亮，梁建，徐小红，许并社，李小兵，关永莉，贾志刚，王琳，
申请(专利权)人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司，太原理工大学，
类型：发明
国别省市：山西,14