940nm红外LED的外延结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种940nm红外LED的外延结构，属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底1、衬底缓冲层2、下覆盖层3、下波导层4、第一有源层5、晶格缓冲层6、第二有源层7、上波导层8、电流限制层9、上覆盖层10、窗口层11和欧姆接触层12，所述下覆盖层3包括第一覆盖层3‑1和第二覆盖层3‑2。本实用新型专利技术能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子‑空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量，因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
940nm红外LED的外延结构
本技术涉及显示设备
，特别涉及一种940nm红外LED的外延结构。
技术介绍
红外LED是一种将电能转换为光能的近红外发光器件，它具有体积小、功耗低、指向性好等一系列优点，泛用于遥控、遥测、光隔离、光开关、光电控制、目标跟踪等系统中。940nm红外LED主要用在家电类的红外遥控器中。由于940nm红外线为不可见光，因此对环境的影响很小、且红外光波动波长远小于无线电波的波长，所以940nm红外线遥控不会影响其它家用电器，也不会影响临近的无线电设备。然而，目前的940nm红外LED的光电转换效率较低，因此，如何提高940nm红外LED的光电转换效率，受到广泛关注。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够提高940nm红外LED的光电转换效率的940nm红外LED的外延结构。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种940nm红外LED的外延结构，所述外延结构从下至上依次包括衬底、衬底缓冲层、下覆盖层、下波导层、第一有源层、晶格缓冲层、第二有源层、上波导层、电流限制层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种940nm红外LED的外延结构，其特征在于，所述外延结构从下至上依次包括衬底(1)、衬底缓冲层(2)、下覆盖层(3)、下波导层(4)、第一有源层(5)、晶格缓冲层(6)、第二有源层(7)、上波导层(8)、电流限制层(9)、上覆盖层(10)、窗口层(11)和欧姆接触层(12)，所述下覆盖层(3)包括第一覆盖层(3-1)和第二覆盖层(3-2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种940nm红外LED的外延结构，其特征在于，所述外延结构从下至上依次包括衬底(1)、衬底缓冲层(2)、下覆盖层(3)、下波导层(4)、第一有源层(5)、晶格缓冲层(6)、第二有源层(7)、上波导层(8)、电流限制层(9)、上覆盖层(10)、窗口层(11)和欧姆接触层(12)，所述下覆盖层(3)包括第一覆盖层(3-1)和第二覆盖层(3-2)。


2.根据权利要求1所述的940nm红外LED的外延结构，其特征在于，所述衬底缓冲层(2)的材质为GaAs，厚度为0.15～0.3μm。


3.根据权利要求1所述的940nm红外LED的外延结构，其特征在于，所述第一覆盖层(3-1)的厚度为0.8～1μm；第二覆盖层(3-2)的厚度为0.3～0.4μm。


4.根据权利要求1所述的940nm红外LED的外延结构，其特征在于，所述下波导层(4)的厚度为0.5～0.65μm。


5.根据权利要求1所述的940nm红外LED的外延结构，其特征在于，所述第一有源层(5)和第二有源层(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：米洪龙，杨杰，关永莉，杨鑫，周王康，申江涛，陕志芳，樊明明，
申请(专利权)人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14