一种高光提取率的LED的结构化基底制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层和结构化层，主基底层的顶端与结构化层的底端固定连接，主基底层包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的顶端铺设有LED外延层，LED外延层的中部固定设有块状凸起，结构化层包括与块状凸起顶端连接的P型半导体，P型半导体的顶端固定设有量子阱发光层，量子阱发光层的顶端固定设有N型半导体，本实用新型专利技术的有益效果是通过设有的块状凸起、介质高反膜和氮化硅薄膜层，可以最大程度限制LED光子横向传输的光子损失，从而提高了器件的光提取效率，大大提高了LED侧壁光的输出率，通过设有的量子阱发光层和金属反光层，提高光子的纵向出射几率，有效提高LED的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高光提取率的LED的结构化基底
本技术涉及一种基底，特别涉及一种高光提取率的LED的结构化基底。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)因具有节能、高效、体积小、寿命长等特点，被广泛应用于白光照明、背光显示、交通标示、通信、信号指示、大屏幕显示等领域，并满足轻、薄等小型化要求，特别地以GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料制备的高亮度发光器件，由于其优异的发光效能，引起了人们的极大关注，被认为是未来理想的半导体白光照明光源之一。目前使用光子晶体技术来提高LED出光效率的方法，通常是通过在LED外延片的P型导电层上刻蚀出周期或准周期分布的空气柱来实现的，这能有效限制光子在P型导电层的横向传播损耗，提高LED的出光效率，然而由于有这种技术的光子晶体结构的制备过程过于复杂，技术难度较大，因此成本较高，限制了该技术在LED的推广应用，同时LED的侧壁光不能够被利用，大大减少了光输出率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高光提取率的LED的结构化基底，以解决上述背景技术中提出的光提取率和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层(1)和结构化层(2)，其特征在于，所述主基底层(1)的顶端与结构化层(2)的底端固定连接，所述主基底层(1)包括蓝宝石衬底(3)，所述蓝宝石衬底(3)的顶端铺设有LED外延层(7)，所述LED外延层(7)的中部固定设有块状凸起(5)，所述块状凸起(5)的顶端与结构化层(2)的底端固定连接，所述结构化层(2)包括与块状凸起(5)顶端连接的P型半导体(9)，所述P型半导体(9)的顶端固定设有量子阱发光层(11)，所述量子阱发光层(11)的顶端固定设有N型半导体(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层(1)和结构化层(2)，其特征在于，所述主基底层(1)的顶端与结构化层(2)的底端固定连接，所述主基底层(1)包括蓝宝石衬底(3)，所述蓝宝石衬底(3)的顶端铺设有LED外延层(7)，所述LED外延层(7)的中部固定设有块状凸起(5)，所述块状凸起(5)的顶端与结构化层(2)的底端固定连接，所述结构化层(2)包括与块状凸起(5)顶端连接的P型半导体(9)，所述P型半导体(9)的顶端固定设有量子阱发光层(11)，所述量子阱发光层(11)的顶端固定设有N型半导体(4)。


2.根据权利要求1所述的一种高光提取率的LED的结构化基底，其特征在于：所述N型半导体(4)的一侧固定设有N型欧姆电极(13)。


3.根据权利要求1所述的一种高...

【专利技术属性】
技术研发人员：张江鹏，李婷婷，李会杰，孟立智，宋士增，
申请(专利权)人：同辉电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13