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一种高光提取率的LED的结构化基底制造技术
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文档序号:26463553
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本实用新型公开了一种高光提取率的LED的结构化基底,包括主基底层和结构化层,主基底层的顶端与结构化层的底端固定连接,主基底层包括蓝宝石衬底,蓝宝石衬底的顶端铺设有LED外延层,LED外延层的中部固定设有块状凸起,结构化层包括与块状凸起顶端连...
该专利属于同辉电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过同辉电子科技股份有限公司授权不得商用。
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