半导体存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个页面；外围电路，其将包括在多个页面中的选择的页面中的存储器单元编程为多个编程状态；以及控制逻辑，其控制外围电路以执行编程操作，其中控制逻辑控制外围电路，使得在对多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间，施加到与选择的页面相邻的页面的第一可变通过电压不同于施加到剩余未选择的页面的通过电压。

Semiconductor memory device and its operating methods

The invention discloses a semiconductor memory device includes a memory cell array includes a plurality of pages; the peripheral circuit, the memory cell programming will be included in multiple pages in the selected page for a plurality of programming states; and the control logic, the control circuit to perform the programming operation, the control the logic control circuit, makes more programming in the state has a first set the program state of low threshold voltage distribution programming during the operation, the first variable is applied to the selected page and adjacent pages by different voltage applied to the remaining unselected page by voltage.

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年7月28日提交的申请号为10-2016-0096333的韩国专利申请的优先权，其全文内容通过引用并入本文。
本专利技术的各种实施例涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。
技术介绍
半导体存储器装置可以分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置以比易失性存储器装置相对低的写入和读取速度操作，但是其无论电源开/关状态都保留存储的数据。因此，非易失性存储器装置用于存储需要保持的数据，即使在没有电源的情况下。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)。闪速存储器被广泛地使用并且可以分为NOR型或NAND型存储器。闪速存储器享有RAM和ROM装置两者的优点。例如，闪速存储器可类似于RAM被自由地编程和擦除。而且，类似于ROM，即使当未被供电时，其仍可以保留存储的数据。闪速本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个页面；外围电路，其适于对包括在所述多个页面的选择的页面中的存储器单元执行编程操作，使得所述存储器单元具有多个编程状态；以及控制逻辑，其适于控制所述外围电路以执行所述编程操作，其中，在对所述多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将第一可变通过电压施加至与所述选择的页面相邻的页面，其中所述第一可变通过电压不同于施加至剩余未选择的页面的通过电压。

【技术特征摘要】
2016.07.28 KR 10-2016-00963331.一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个页面；外围电路，其适于对包括在所述多个页面的选择的页面中的存储器单元执行编程操作，使得所述存储器单元具有多个编程状态；以及控制逻辑，其适于控制所述外围电路以执行所述编程操作，其中，在对所述多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将第一可变通过电压施加至与所述选择的页面相邻的页面，其中所述第一可变通过电压不同于施加至剩余未选择的页面的通过电压。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一可变通过电压具有高于所述通过电压的电位电平。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在对所述多个编程状态中的具有高阈值电压分布的第二设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将第二可变通过电压施加至所述相邻的页面，其中所述第二可变通过电压不同于所述通过电压和所述第一可变通过电压。4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第二可变通过电压具有低于所述通过电压的电位电平。5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第一设置编程状态包括具有低阈值电压分布的一个或多个编程状态，以及其中，所述第二设置编程状态包括具有高阈值电压分布的一个或多个编程状态。6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述外围电路以从具有低阈值电压分布的编程状态到具有高阈值电压分布的编程状态的顺序方式对所述多个编程状态执行编程操作。7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，当包括在所述选择的页面中的存储器单元的沟道宽度变窄时，所述控制逻辑调整所述第一可变通过电压和所述第二可变通过电压以变得接近于所述通过电压。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，当对所述选择的页面的编程操作完成时，所述控制逻辑选择新页面并且根据所述新页面被布置的位置将所述通过电压设置为新通过电压。9.一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个页面；外围电路，其适于对包括在所述多个页面的选择的页面中的存储器单元执行编程操作，使得所述存储器单元具有多个编程状态；以及控制逻辑，其适于控制所述外围电路以执行所述编程操作，其中，在对所述多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间或在对所述多个编程状态中的具有高阈值电压分布的第二设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将不同于施加至剩余未选择的页面的通过电压的第一可变通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐智贤，权殷美，郑圣蓉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR