存储器装置及其压力测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包含存储器单元阵列和控制单元的存储器装置及其压力测试方法。所述存储器单元阵列包含：按行和列配置的多个存储器单元；在行方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应行的多个字线；以及在列方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应列的多个局部位线。所述控制单元经配置以进行：编程存储器单元的所述行中的所选行以具有数字状态的预定模式，基于所述预定模式将所述局部位线中的所选局部位线耦合到全局位线且将所述局部位线中的非选局部位线耦合到接地，将压力电压施加到所述全局位线，且在预定时间段之后感测存储器单元的所述所选行的数字状态。

Memory device and its pressure testing method

The invention relates to a memory device including a memory unit array and a control unit and a pressure testing method. The memory cell array includes a plurality of memory cells in the row and column configuration; row direction extending and coupled to the plurality of word lines corresponding to the memory unit; and the corresponding columns extending in a column direction and coupled to the memory unit of the plurality of focal line. The control unit is configured to: the predetermined pattern for programming memory cells in the selected row with the number of States, the predetermined pattern the focal line of the selected focal line coupled to the global bit line and the non selected focal line coupling the focal line the ground pressure based on the voltage applied to the global bit line digital state and after a predetermined period of time sensing of memory cells of the selected row.

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其压力测试方法
本专利技术涉及一种存储器装置和所述存储器装置的一种压力测试方法。
技术介绍
存储器装置通常用于存储电子装置的可执行代码和数据。许多电子装置长时间操作，且持续向与其相关联的存储器装置传送大量数据且从与其相关联的存储器装置传送出大量数据。此类连续操作可能降低存储器装置的性能。因此，存储器装置被压力测试以确定其是否将根据设计预期而执行以处理应付运行时操作的压力。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，存储器装置包含存储器单元阵列和控制单元。所述存储器单元阵列包含：按行和列配置的多个存储器单元；在行方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应行的多个字线；以及在列方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应列的多个局部位线。所述控制单元经配置以进行：编程存储器单元的所述行中的所选行以具有数字状态的预定模式(predeterminedpattern)，基于所述预定模式将所述局部位线中的所选局部位线耦合到全局位线且将所述局部位线中的非选局部位线耦合到接地，将压力电压施加到所述全局位线，且在预定时间之后感测存储器单元的所述所选行的数字状态。根据本专利技术的另一实施例，存储器装置的压力测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其特征在于，包括存储器单元阵列以及控制单元，所述存储器单元阵列，包含：多个存储器单元，按行和列配置；多个字线，在行方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应行；以及多个局部位线，在列方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应列，所述控制单元经配置以进行：编程所述存储器单元的所述行中的所选行以具有数字状态的预定模式；基于所述预定模式将所述局部位线中的所选局部位线耦合到全局位线且将所述局部位线中的非选局部位线耦合到接地；将压力电压施加到所述全局位线；以及在一预定时间之后，感测所述存储器单元的所述所选行的数字状态。

【技术特征摘要】
2016.07.18 US 15/213,0301.一种存储器装置，其特征在于，包括存储器单元阵列以及控制单元，所述存储器单元阵列，包含：多个存储器单元，按行和列配置；多个字线，在行方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应行；以及多个局部位线，在列方向上延伸且耦合到所述存储器单元的相应列，所述控制单元经配置以进行：编程所述存储器单元的所述行中的所选行以具有数字状态的预定模式；基于所述预定模式将所述局部位线中的所选局部位线耦合到全局位线且将所述局部位线中的非选局部位线耦合到接地；将压力电压施加到所述全局位线；以及在一预定时间之后，感测所述存储器单元的所述所选行的数字状态。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器单元的每一行包含沿所述行方向交替配置的偶数存储器单元和奇数存储器单元，所述控制单元经配置以在编程所述存储器单元的所述所选行以具有数字状态的所述预定模式时：编程所述存储器单元的所述所选行中的所述偶数存储器单元或所述奇数存储器单元中的存储器单元以具有第一数字状态；编程所述存储器单元的所述所选行中的所述偶数存储器单元或所述奇数存储器单元中的其它存储器单元以具有第二数字状态；以及编程所述存储器单元的非选行以具有所述第二数字状态，具有所述第一数字状态的所述存储器单元的阈值电压低于具有所述第二数字状态的所述存储器单元的阈值电压。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，所述多个局部位线包含耦合到所述偶数存储器单元的偶数局部位线和耦合到所述奇数存储器单元的奇数局部位线，所述控制单元经配置以在基于所述预定模式将所述局部位线的所述所选局部位线耦合到所述全局位线且将所述局部位线的所述非选局部位线耦合到接地时进行：如果所述存储器单元的所述所选行中的所述偶数存储器单元经编程以具有所述第二数字状态，则将所述偶数局部位线耦合到所述全局位线且将所述奇数局部位线耦合到接地；以及如果所述存储器单元的所述所选行中的所述奇数存储器单元经编程以具有所述第二数字状态，则将所述奇数局部位线耦合到所述全局位线且将所述偶数局部位线耦合到接地。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，还包含列解码器，所述列解码器包含：多个偶数传递晶体管，耦合在所述全局位线与所述偶数局部位线中的相应偶数局部位线之间；以及多个奇数传递晶体管，耦合在所述全局位线与所述奇数局部位线中的相应奇数局部位线之间，其中所述控制单元经配置以进行：在将所述偶数局部位线耦合到所述全局位线且将所述奇数局部位线耦合到接地时，接通所述偶数传递晶体管且关断所述奇数传递晶体管；以及在将所述奇数局部位线耦合到所述全局位线且将所述偶数局部位线耦合到接地时，接通所述奇数传递晶体管且关断所述偶数传递晶体管。5.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述控制单元进一步经配置以进行：将第一字线电压施加到耦合到所述存储器单元的所述所选行的所选字线；以及将第二字线电压施加到所述存储器阵列中的非选字线。6.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，所述控制单元进一步经配置以在所述预定时间之后：如果经编程以具有所述第一数字状态的所述存储器单元中的其中一个的数字状态变为所述第二数字状态，则确定在耦合到所述存储器单元的所述局部位线周围发生短路。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器单元中的每一个包含耦合到相应字线的控制端子、耦合到相应局部位线的第一端子和经耦合以接收接地电压的第二端子。8.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，所述偶数传递晶体管和奇数传递晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。9.一种存储器装置的压力测试方法，其特征在于，包括：提供存储器单元阵列，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈毓明，洪希贤，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71