旋转局部加热式半导体元件镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体制造技术领域，公开了一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括用于固定长方体状半导体元件的固定架，固定架可转动，所述固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨和竖向滑轨，横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一；滑轨上滑动设置有若干个坩埚，每个坩埚内均固定设置有蒸发源；还包括L型的固定杆，固定杆沿滑轨设置，且固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上滑动设有若干个加热源。本实用新型专利技术解决了现有镀膜装置对于长方体状半导体元件镀膜时镀膜厚度不均的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
旋转局部加热式半导体元件镀膜装置
本技术属于半导体制造
，具体涉及一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置。
技术介绍
半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。半导体在制造的过程中，为了减小半导体在使用过程中的损耗，通常需要对半导体进行镀膜处理。半导体的镀膜方式包括蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜等，其中，蒸发镀膜是指通过加热蒸发镀膜物质，使其沉积在半导体元件的表面，形成一层保护膜。蒸发镀膜中膜的厚度决定于蒸发速率、镀膜时间，以及蒸发源与半导体元件之间的距离等。因此，为了保证镀膜的均匀性，必须地严格控制好上述影响因素。蒸发镀膜装置包括蒸发源、加热源和用于固定待镀膜半导体元件的固定装置，其中，若需要对半导体元件的多个侧面进行镀膜时，还需要将固定装置设置成可转动的，以便于将半导体元件的不同侧面转至朝向蒸发源。然而，对于长方体状的半导体元件，由于蒸发源是固定不动的，而长方体的长和宽大多都不相等，固定装置转动后，虽然可以实现下一个待镀膜侧面正面朝向蒸发源，但待镀膜侧面与蒸发源之间的距离会发生变化，这就导致半导体元件不同侧面的镀膜厚度不一致。
技术实现思路
本技术意在提供一种旋转局部加热式半本文档来自技高网...

【技术保护点】
旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括用于固定长方体状半导体元件的固定架，固定架可转动，其特征在于：所述固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨和竖向滑轨，横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一；滑轨上滑动设置有若干个坩埚，每个坩埚内均固定设置有蒸发源；还包括L型的固定杆，固定杆沿滑轨设置，且固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上滑动设有若干个加热源。

【技术特征摘要】
1.旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括用于固定长方体状半导体元件的固定架，固定架可转动，其特征在于：所述固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨和竖向滑轨，横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一；滑轨上滑动设置有若干个坩埚，每个坩埚内均固定设置有蒸发源；还包括L型的固定杆，固定杆沿滑轨设置，且固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上滑动设有若干个加热源。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶敏，
申请(专利权)人：象山铭业光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33