The present invention relates to a substrate treatment device and a film deposition device using the substrate processing device. A substrate processing device of the embodiment comprises a chamber, with regional seal process; a substrate support frame, located in the lower part of the chamber, the wafer is mounted, and to prevent the deposition gas through the gas passage to the side discharge inside; shower head, located in the upper part of the chamber, so that the source gas and reaction gas supply in the substrate on the support frame; and a cleaning ring structure, located on the edge of the substrate support frame, the support frame from the substrate to prevent deposition of internal flows into the supply of gas to the top edge of the wafer. Among them, the cleaning ring structure body comprises a cleaning ring mounted around the substrate to surround the wafer edge; a plurality of protrusions from the cleaning ring inside the wafer edge direction for bulge formation; among them, through the convex part between the inner side of the ring and surface cleaning the wafer edge forming the gap, to prevent the deposition of gas supply to the upper side of the wafer through the gap of the.
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及利用该基板处理装置的薄膜沉积方法
本专利技术涉及基板处理装置以及利用该基板处理装置的薄膜沉积方法,更详细地说涉及原子层沉积装置以及利用该原子层沉积装置的薄膜沉积方法。
技术介绍
一般地说,为了在半导体晶片或者玻璃基板上沉积固定厚度的薄膜,正在使用物理气相沉积方法(physicalvapordeposition,PVD)或者化学气相沉积方法(chemicalvapordeposition,CVD)等。一般地说CVD装置包括基板支撑架,并且可在基板支撑架的边缘区域包括边缘环(edgering)以及清洗环(purgering)。边缘环以及清洗环分别作为包括气体喷射口的环结构体,是用于防止在晶片上面边缘以及后面边缘沉积薄膜的结构体。边缘环被设计成使清洗气体供应于晶片上面边缘,而清洗环可被设计成使清洗气体供应于晶片后面边缘。如今,随着半导体元件的集成密度的增加,设计规则(designrule)变得详细,进而正在增加对薄膜的精细图的要求。作为该要求的一环,以原子层为单位沉积薄膜的原子层沉积方法(atomiclayerdeposition;以下,称为ALD)的使用正在增加。进一步的说,为了改善产量,正在持续试图也将晶片边缘区域作为元件区域来利用。但是,所述边缘环是为了将吹扫气体喷射于所述晶片上面边缘而设计的,因此可占据晶片上面边缘的一部分。因为该边缘环,很难增加晶片的产量。
技术实现思路
根据本专利技术一实施例的基板处理装置包括:腔室,具有密封的工艺区域;基板支撑架,位于所述腔室下部,使晶片安装在上面,并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放;花洒 ...
【技术保护点】
一种基板处理装置,其特征在于,包括:腔室,具有密封的工艺区域;基板支撑架,位于所述腔室下部,使晶片安装在上面,并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放;花洒头,位于所述腔室上部,以使源气体以及反应气体供应于所述基板支撑架上;以及清洗环结构体,位于所述基板支撑架的边缘,使从所述基板支撑架内部流入的防止沉积气体供应到所述晶片上面边缘;其中,所述清洗环结构体包括:清洗环,安装在所述基板支撑架周围,以围绕晶片边缘;多个凸起部,从所述清洗环内侧面向所述晶片边缘方向凸出形成;其中,通过所述凸起部在所述清洗环的内侧面与所述晶片边缘之间形成间隙部,通过所述间隙部使所述防止沉积气体供应到所述晶片上面侧。
【技术特征摘要】
2016.06.28 KR 10-2016-00808091.一种基板处理装置,其特征在于,包括:腔室,具有密封的工艺区域;基板支撑架,位于所述腔室下部,使晶片安装在上面,并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放;花洒头,位于所述腔室上部,以使源气体以及反应气体供应于所述基板支撑架上;以及清洗环结构体,位于所述基板支撑架的边缘,使从所述基板支撑架内部流入的防止沉积气体供应到所述晶片上面边缘;其中,所述清洗环结构体包括:清洗环,安装在所述基板支撑架周围,以围绕晶片边缘;多个凸起部,从所述清洗环内侧面向所述晶片边缘方向凸出形成;其中,通过所述凸起部在所述清洗环的内侧面与所述晶片边缘之间形成间隙部,通过所述间隙部使所述防止沉积气体供应到所述晶片上面侧。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述凸起部向所述清洗环中心部凸出,以使所述凸起部具有0.1至1.5mm的宽度。3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,所述凸起部至少具有三个以上,以使所述晶片边缘与所述清洗环内侧面部分性非接触。4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:李大濬,金容珍,白春金,
申请(专利权)人:圆益IPS股份有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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