The utility model relates to an integrated circuit package. According to the embodiment of the utility model, the integrated circuit package body comprises a grounding connection structure configured to provide the grounding connection of the integrated circuit package, and an insulating shell of the grounding connection structure located in the inner part of the integrated circuit package body. The side wall of the insulated shell is located on the upper part of the slope and the vertical part below it, and the height of the vertical part is smaller than the 1/10 of the target interference wave length of the integrated circuit package. Integrated circuit package further comprises a shielding metal layer and the conductive column, the shielding metal layer is covered at the upper surface of the insulation shell and the slope, and the shielding column is arranged in the insulation shell and is configured to electrically connect the metal shielding layer and ground connection structure. The integrated circuit package according to the practical example of the utility model can simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.
【技术实现步骤摘要】
集成电路封装体
本申请涉及一种集成电路封装体。
技术介绍
因越来越多的无线通信装置被高度集成在一有限面积的手机中,使得原本较不受重视、且采用低成本的导线框架加工的射频组件如:射频功率放大器(RFPowerAmplifier,RFPA)、低噪声功率放大器(LowNoiseAmplifier,LNA)、天线开关(AntennaSwitch)等面临的电磁场干扰问题也越来越多。业内解决这一问题的普遍方式是在集成电路封装体的外侧包覆金属屏蔽层。目前一般使用的是真空溅镀的工艺来制作这类屏蔽层,即在超高真空环境中,通过等离子体放电,将靶材金属直接轰击到封装体的表面。同时由于屏蔽层需要接地才能发挥屏蔽电磁场的作用,所以一般将连接在一起的集成电路封装体切成单颗再分别贴在防溢镀胶带上进行真空溅镀后,以保证溅镀金属和接地引脚连接。由于需要增加摆放产品和拾取产品的制程,这种方案存在生产效率低的缺点。而且这种技术方案不能保证集成电路封装体底面和胶带间100%贴合,容易在集成电路封装体底面形成溢镀而导致其引脚间短路。除上述缺点外,目前使用真空溅镀来制作屏蔽层的工艺还存在生产成本高、工艺复杂等 ...
【技术保护点】
一种集成电路封装体,其特征在于所述集成电路封装体包括:接地连接结构,经配置以提供所述集成电路封装体的接地连接;绝缘壳体,其遮蔽所述接地连接结构位于所述集成电路封装体内部者;所述绝缘壳体的侧壁具有位于上方的斜坡及位于下方的垂直部,所述垂直部的高度小于所述集成电路封装体所要屏蔽的目标干扰波波长的1/10;屏蔽金属层,其仅覆盖在所述绝缘壳体的上表面及所述斜坡;以及屏蔽导电柱,设置于所述绝缘壳体内且经配置以电连接所述屏蔽金属层与所述接地连接结构。
【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装体,其特征在于所述集成电路封装体包括:接地连接结构,经配置以提供所述集成电路封装体的接地连接;绝缘壳体,其遮蔽所述接地连接结构位于所述集成电路封装体内部者;所述绝缘壳体的侧壁具有位于上方的斜坡及位于下方的垂直部,所述垂直部的高度小于所述集成电路封装体所要屏蔽的目标干扰波波长的1/10;屏蔽金属层,其仅覆盖在所述绝缘壳体的上表面及所述斜坡;以及屏蔽导电柱,设置于所述绝缘壳体内且经配置以电连接所述屏蔽金属层与所述接地连接结构。2.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其特征在于所述绝缘壳体的厚度大于等于0.18mm。3.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其特征在于所述接地连接结构位于封装基板或导线框架上。4.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其特征在于所述屏蔽导电柱的下端直接与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭一凡,汪虞,李维钧,
申请(专利权)人:苏州日月新半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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